[發(fā)明專利]一種具有類倒棱臺(tái)絨面結(jié)構(gòu)的金剛線切割多晶硅片及其制絨方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810584997.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108666380B | 公開(公告)日: | 2019-09-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 萬鵬;沈志妹;管自生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京納鑫新材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0236 | 分類號(hào): | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 曹翠珍 |
| 地址: | 210037 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 倒棱臺(tái) 硅片表面 絨面結(jié)構(gòu) 多晶硅 多晶硅片 線切割 黑硅 制絨 雙氧水 硅片表面損傷層 混合溶液中 浸入 太陽能電池 表面修正 近似圓形 反射率 棱臺(tái)面 鈍化 孔深 棱數(shù) 去除 制備 添加劑 修正 制作 | ||
1.具有類倒棱臺(tái)絨面結(jié)構(gòu)的金剛線切割多晶硅片的制絨方法,所述具有類倒棱臺(tái)絨面結(jié)構(gòu)的金剛線切割多晶硅片,具有以下特征:
(1)棱數(shù)為3到10棱之間;
(2)倒棱臺(tái)兩底面呈近似圓形或橢圓形,或方邊圓弧結(jié)合;
(3)孔底部棱臺(tái)面與硅片表面的夾角范圍在0°-90°之間;
(4)此結(jié)構(gòu)尺寸均勻、孔徑為400nm~1.5mm、孔深200~500nm;
在多晶硅硅片表面上,所述的類倒棱臺(tái)絨面結(jié)構(gòu)是隨機(jī)分布的,并相互之間有疊加;
其特征在于,包括如下步驟:
步驟一、多晶硅硅片表面損傷層去除:用堿拋法或者酸拋法去除多晶硅硅片表面損傷層;
步驟二、黑硅制作:采用金屬離子輔助刻蝕法進(jìn)行黑硅制作;
步驟三、多晶硅硅片表面修正:將上制的黑硅進(jìn)行表面修正、水洗后,浸入10%-45%雙氧水和1%-10%添加劑的混合溶液中,在多晶硅硅片表面制得類倒棱臺(tái)結(jié)構(gòu);
所述的添加劑為聚乙烯吡咯烷酮、聚羧酸鈉、十八烷基二甲基胺乙內(nèi)酯的混合物;
步驟四、多晶硅硅片的清洗與烘干。
2.權(quán)利要求1所述的具有類倒棱臺(tái)絨面結(jié)構(gòu)的金剛線切割多晶硅片的制絨方法,其特征在于步驟三的表面修正是將黑硅置于含有10%-65%硝酸,1%-25%氫氟酸的溶液中浸泡,溫度為2-25℃,時(shí)間為30s-360s。
3.權(quán)利要求1所述的具有類倒棱臺(tái)絨面結(jié)構(gòu)的金剛線切割多晶硅片的制絨方法,其特征在于步驟三的所述的添加劑中聚乙烯吡咯烷酮、聚羧酸鈉、十八烷基二甲基胺乙內(nèi)酯的質(zhì)量比為1-2:1-2:1-2。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





