[發明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201810582488.1 | 申請日: | 2018-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN108878480A | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發明(設計)人: | 曾勉 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示面板 信號線 顯示裝置 擋墻 邊框 信號走線層 保護層 窄邊框 走線層 基板 | ||
本發明提出了一種顯示面板及顯示裝置,所述顯示面板包括基板、走線層、保護層以及擋墻;本發明通過將所述擋墻設置于所述信號走線層上,使得顯示面板在不縮減GOA信號線、VSS信號線以及VDD信號線寬度的同時,縮減了所述顯示面板邊框,實現了窄邊框的設計。
技術領域
本發明涉及顯示器領域,特別涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
在顯示技術中,有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器具有輕薄、主動發光、響應速度快、可視角大、色域寬、亮度高和功耗低等眾多優點,逐漸成為繼液晶顯示器后的第三代顯示技術。相對于LCD(Liquid crystal displays,液晶顯示器),OLED具有更省電,更薄,且視角寬的優勢,這是LCD無法比擬的。目前,人們對顯示的細膩程度即分辨率要求越來越高,但生產高質量、高分辨率的OLED顯示屏仍然面臨著許多挑戰。
隨著顯示行業技術的發展,用戶對顯示面板的外觀設計要求越來越高,比如窄邊框的設計。
現有顯示面板一般包括顯示區域和位于所述顯示區域外圍的周邊區域,所述周邊區域設置有GOA信號線、VDD信號線以及VSS信號線;其中,所述周邊區域的側邊非發光區域設置有GOA信號線以及VSS信號線,底邊非發光區設置有VDD信號線;上述信號線穿過彎折區域與驅動芯片連接。
現有技術中,為了保證VDD和VSS信號的均勻性,VDD和VSS信號線設置較寬,因此導致現有的AMOLED面板的左右以及底邊框較大。而縮減GOA信號線的寬度,則導致GOA驅動能力下降;而若縮減VSS信號線或者VDD信號線的寬度,則會導致面板顯示區VSS電位均勻性較差,影響面板顯示的均勻性。
在現有面板設計中,一般會將作為薄膜封裝層的擋墻結構設計在邊框中VSS信號線的邊緣,以保證薄膜封裝層保護顯示面板顯示區域的OLED器件的同時,也防止了邊框中VSS信號線SD層的外漏以及金屬線受到外界水氧的腐蝕;另外,為了保證面板被切割時薄膜封裝層的完整,面板的切割邊界到擋墻的距離通常會設計得較大;其中,不可避免的邊框區域包括切割精度、薄膜封裝層的覆蓋區域、掩膜板制程以及對位精度誤差、以及有效封裝去等,這些因素的存在將不利于窄邊框的實現。
發明內容
本發明提供一種顯示面板及顯示裝置,以解決現有顯示面板邊框較大的技術問題。
為解決上述問題,本發明提供的技術方案如下:
本發明提供一種顯示面板,其包括顯示區域及設置在所述顯示區域外圍的周邊區域,所述周邊區域包括:
基板;
位于所述基板上的信號走線層;
覆蓋所述信號走線層的最外側的信號線上的保護層;以及
位于所述信號走線層上的擋墻。
在本發明的顯示面板中,所述信號走線層包括并列設置的第一信號線和第二信號線,所述第二信號線包括所述最外側的信號線。
在本發明的顯示面板中,所述第一信號線為VDD信號線和/或GOA信號線,所述第二信號線為VSS信號線。
在本發明的顯示面板中,
所述周邊區域包括設置在所述顯示區域周邊的側邊非發光區域和底邊非發光區域;
所述GOA信號線位于與所述底邊非發光區域相連接的所述側邊非發光區域,所述VDD信號線位于所述底邊非發光區域。
在本發明的顯示面板中,還包括設置在所述擋墻上的薄膜封裝層,所述薄膜封裝層包括第一無機層、設置在所述第一無機層上的第一有機層和設置在所述第一有機層上的第二無機層;所述第一無機層覆蓋所述擋墻并延伸覆蓋在至少部分所述第二信號線上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





