[發明專利]使用超熱加速劑的加熱裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201810580256.2
• 申請日: 2018-06-07
• 公開（公告）號: CN110381617B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 樸知勛;李承衍;林成奐;尹汝窕;金惠珍
• 申請（專利權）人: IM先進材料有限公司
• 主分類號: H05B3/84
• 分類號: H05B3/84;H05B3/10
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 王穎;江磊

1.一種加熱裝置，所述加熱裝置包括：

基材；

形成在所述基材上的金屬氧化物層；

形成在所述金屬氧化物層上且以格子形式布置的具有球形形狀且直徑為50至100nm的超熱加速劑點；和

形成在所述金屬氧化物層和所述超熱加速劑點上的導電粘合劑層，

其中所述具有球形形狀且直徑為50至100nm的超熱加速劑點的下部部分包含在所述金屬氧化物層中，而所述具有球形形狀的超熱加速劑點的上部部分包含在所述導電粘合劑層中。

2.如權利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述超熱加速劑選自下組：SnF₂、SnF₄、氟化錫鎳(SnNiF)、氟化錫鉻(SnCrF)、氟化錫鋅(SnZnF)、氟化鋅鎳(ZnNiF)和它們的組合。

3.如權利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述超熱加速劑點具有50-100nm的直徑，并且以10至20nm的間隔布置。

4.如權利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述金屬氧化物選自下組：氧化鋁、氧化銅、氧化鐵、氧化錫、氧化鎘、氧化鋅以及它們的組合。

5.如權利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述導電粘合劑是光學透明的粘合劑。

6.一種制造加熱裝置的方法，所述方法包括：

在第一基材上形成金屬氧化物層；

通過連續室溫化學方法在第二基材的導電粘合劑層上形成以格子形式布置的具有球形形狀且直徑為50至100nm的超熱加速劑點；和

使其上形成有具有球形形狀且直徑為50至100nm的超熱加速劑點的第二基材和其上形成有金屬氧化物層的第一基材通過輥，從而使具有球形形狀且直徑為50至100nm的超熱加速劑點通過層壓附著到第一基材的金屬氧化物層上，同時所述具有球形形狀的超熱加速劑點保持附著到第二基材的導電粘合劑層上，

其中所述具有球形形狀且直徑為50至100nm的超熱加速劑點的下部部分包含在所述金屬氧化物層中，而所述具有球形形狀且直徑為50至100nm的超熱加速劑點的上部部分包含在所述導電粘合劑層中。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述連續室溫化學方法包括：

將從微波發生器產生的微波引導到磁場形成空間中；

將等離子體源氣體引入到磁場形成空間中；

通過使等離子體源氣體暴露于微波而將等離子體源氣體以等離子體態保持在磁場形成空間中；

通過磁場下等離子體中電子和離子的ECR(電子回旋共振)保持具有高能量密度的等離子體；

將用于形成沉積膜的超熱加速劑源氣體供給到具有高能量密度的等離子體區域中以產生活化離子；以及

通過第二基材表面上的活化離子的瞬時表面化學反應連續形成超熱加速劑點。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述超熱加速劑點具有50-100nm的直徑，并且以10至20nm的間隔布置。

9.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述超熱加速劑選自下組：SnF₂、SnF₄、SnNiF、SnCrF、SnZnF、ZnNiF和它們的組合。

10.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物選自下組：氧化鋁、氧化銅、氧化鐵、氧化錫、氧化鎘、氧化鋅以及它們的組合。

11.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述導電粘合劑是光學透明的粘合劑。

12.如權利要求6所述的方法，所述方法在形成以格子布置的超熱加速劑點之后，還包括：

在具有球形形狀的超熱加速劑點上形成保護膜；

從超熱加速劑點上除去保護膜。