[發明專利]擴展方法、半導體裝置的制造方法、及半導體裝置

有效

• 申請號: 201810579807.3
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN108807253B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 巖永有輝啟;鈴村浩二;作田竜彌
• 申請（專利權）人: 株式會社力森諾科
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/683;H01L21/78;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 薛海蛟

1.一種半導體裝置的制造方法，其工序中具有擴展方法，所述擴展方法包含以下工序：

在沿著分割預定線形成有改性部的半導體晶片上使用切割芯片焊接一體型片材，準備具有半導體晶片、芯片焊接膜、及切割帶的層疊體的工序(I)；

在層疊體冷卻的狀態下將切割帶進行拉伸的工序(IIA)；

將拉伸后的切割帶松弛的工序(IIB)；以及

在層疊體冷卻的狀態下將切割帶進行拉伸，將半導體晶片及芯片焊接膜沿著分割預定線分割成芯片，擴大芯片的間隔的工序(IIC)，

從開始將通過工序(IIB)而拉伸的切割帶松弛的時刻到通過工序(IIC)再次開始將切割帶進行拉伸的時刻為止的時間為10秒以下，

所述層疊體冷卻的狀態是層疊體的溫度處于比室溫低的溫度的狀態，

所述擴展方法中，在工序(IIC)中對切割帶施加的外力比在工序(IIA)中對切割帶施加的外力大。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，所述切割芯片焊接一體型片材具有芯片焊接膜及切割帶，

所述芯片焊接膜包含含有熱固化型環氧樹脂的粘接劑。

3.一種半導體裝置的制造方法，其工序中具有擴展方法，所述擴展方法包含以下工序：

在沿著分割預定線形成有改性部的半導體晶片上使用切割芯片焊接一體型片材，準備具有半導體晶片、芯片焊接膜、切割帶及框的層疊體的工序(Ia)；

向具備能夠升降的擴展平臺及能夠將框固定的固定部件的擴展裝置的擴展平臺上面供給層疊體的工序(Ib)；

通過固定部件將框固定的工序(Ic)；

在層疊體冷卻的狀態下使擴展平臺上升，將切割帶進行拉伸的工序(IIa)；

使上升后的擴展平臺下降，將拉伸后的切割帶松弛的工序(IIb)；以及

在層疊體冷卻的狀態下使下降后的擴展平臺上升，將切割帶進行拉伸，將半導體晶片及芯片焊接膜沿著分割預定線分割成芯片，擴大芯片的間隔的工序(IIc)，

所述層疊體冷卻的狀態是層疊體的溫度處于比室溫低的溫度的狀態，

所述擴展方法中，在工序(IIc)中對切割帶施加的外力比在工序(IIa)中對切割帶施加的外力大。

4.一種半導體裝置的制造方法，其工序中具有擴展方法，所述擴展方法包含以下工序：

在沿著分割預定線形成有改性部的半導體晶片上使用切割芯片焊接一體型片材，準備具有半導體晶片、芯片焊接膜、切割帶及框的層疊體的工序(Ia’)；

向具備能夠升降的擴展環及能夠將框固定的固定部件的擴展裝置的擴展環上面供給層疊體的工序(Ib’)；

通過固定部件將框固定的工序(Ic’)；

在層疊體冷卻的狀態下使擴展環上升，將切割帶進行拉伸的工序(IIa’)；

使上升后的擴展環下降，將拉伸后的切割帶松弛的工序(IIb’)；以及

在層疊體冷卻的狀態下使下降后的擴展環上升，將切割帶進行拉伸，將半導體晶片及芯片焊接膜沿著分割預定線分割成芯片，擴大芯片的間隔的工序(IIc’)，

所述層疊體冷卻的狀態是層疊體的溫度處于比室溫低的溫度的狀態，

所述擴展方法中，在工序(IIa’)中對切割帶施加的外力比在工序(IIc')中對切割帶施加的外力大。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，所述擴展方法中，切割帶的拉伸通過對切割帶施加外力來進行。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其進一步包括：

將芯片從切割帶拾取的工序(III)；以及

將芯片進行芯片焊接而焊接到被粘物上的工序(IV)。