[發明專利]OPC優化方法及掩膜版的制備方法

有效

• 申請號: 201810578030.9
• 申請日: 2018-06-05
• 公開（公告）號: CN110568719B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 張敏
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明揭示了一種OPC優化方法，所述OPC優化方法包括：提供待優化圖形；對所述待優化圖形執行OPC循環處理，在每個循環過程中，分別計算掩膜誤差放大因子，并依據算得的每個循環過程中的掩膜誤差放大因子進行OPC調整。由此，通過在每個循環過程中分別計算掩膜誤差放大因子，密切關聯了每次循環后的圖形變化，使得每次的OPC調整更合理，從而可以迅速提高OPC優化的收斂程度，避免難以收斂的情況，從而提高了生產效率，并有助于獲得高質量的圖形。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種OPC優化方法及掩膜版的制備方法。

背景技術

光刻技術是半導體制造加工過程中的關鍵技術。降低集成電路的線寬在很大程度上依賴于光刻精度的提高，以決定是否可以制作出更為精密的圖形。

但是，電路結構在從掩膜轉移到硅片的過程中，會產生失真。尤其是到了亞微米及以下制造工藝階段，如果不去改正這種失真的話會造成整個制造技術的失敗。導致失真的原因主要是光學臨近效應(Optical Proximity Effect，OPE)。

為了改善這一狀況，光學臨近修正(Optical Proximity Correction，OPC)進行圖形的優化被廣泛運用。然而，如何確保OPC優化的高效、準確，一直是一個難題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種OPC優化方法及掩膜版的制備方法，提高OPC優化效率，并提高優化質量。

為解決上述技術問題，本發明提供一種OPC優化方法，包括：

提供待優化圖形；對所述待優化圖形執行OPC循環處理，在每個循環過程中，分別計算掩膜誤差放大因子，并依據算得的每個循環過程中的掩膜誤差放大因子進行OPC調整。

可選的，對于所述的OPC優化方法，對所述待優化圖形執行OPC循環處理之前，將所述待優化圖形劃分為多個分段圖形。

可選的，對于所述的OPC優化方法，所述OPC調整為依據所述掩膜誤差放大因子對所述待優化圖形在OPC時的分段圖形進行移動，包括分段圖形向邊的外側移動及分段圖形向邊的內側移動。

可選的，對于所述的OPC優化方法，在第1個循環過程中，掩膜誤差放大因子依據邊緣位置誤差獲得。

可選的，對于所述的OPC優化方法，自第2個循環過程起，在每個循環過程中掩膜誤差放大因子由如下公式獲得：MEEFi＝(EPEi-EPEi-1)/Movementi-1，其中i≥2，i為整數；Movementi-1表示第i-1個循環過程中所述移動的值，EPE為每個循環過程中的邊緣位置誤差。

可選的，對于所述的OPC優化方法，

若MEEFi≥SPEC，則Movementi＝(MEEFi/k)-1*feedback*EPEi；

若MEEFi＜SPEC，則Movementi＝feedback*EPEi；

其中，SPEC為參考值，feedback為OPC反饋值，k為常數。

可選的，對于所述的OPC優化方法，所述循環的次數為3-10次。

可選的，對于所述的OPC優化方法，采用并行處理模式同時對所述多個分段圖形進行所述OPC循環處理。

可選的，對于所述的OPC優化方法，依次對每個所述分段圖形進行所述OPC循環處理。

可選的，對于所述的OPC優化方法，每個所述分段圖形進行所述OPC循環處理的循環次數不全相同。

本發明還提供一種掩膜版的制備方法，包括如上所述的OPC優化方法。