[發明專利]雙向開關電路以及開關裝置

有效

• 申請號: 201810577368.2
• 申請日: 2018-06-06
• 公開（公告）號: CN109004915B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 關健太
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H11/28
• 分類號: H03H11/28;H03K17/10;H03K17/16;H03K17/687
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樸云龍

1.一種雙向開關電路，具備：

FET群，是包含串聯連接的L級的FET的FET群，對所述FET群的一端與另一端之間的雙向的信號的導通進行控制，其中，L為5以上的整數；以及

多個電容元件，

所述FET群包含的L級的FET分別具備：

漏極電極，在形成有雙向開關電路的基板的主面的俯視下，向與該主面平行的第一方向延伸；以及

源極電極，在形成有雙向開關電路的基板的主面的俯視下，向所述第一方向的相反方向延伸，

所述FET群包含最靠近所述一端的第一FET和最靠近所述另一端的第二FET，

所述多個電容元件具備：

第一電容元件組，包含從所述第一FET起依次與各FET并聯連接的M級的電容元件，其中，M為2以上且小于L的整數；以及

第二電容元件組，包含從所述第二FET起依次與各FET并聯連接的N級的電容元件，其中，N為2以上且L-M以下的整數，

所述FET群具備：

第一FET組，與所述第一電容元件組對應；以及

第二FET組，與所述第二電容元件組對應，

關于所述源極電極的與所述第一方向平行的長度，在所述第一FET組中，越靠近所述一端越長，在所述第二FET組中，越靠近所述另一端越長，

關于所述漏極電極的與所述第一方向平行的長度，在所述FET各自中相同，

所述漏極電極和所述源極電極具有沿著與所述主面平行且與所述第一方向正交的第二方向重疊的區域，

關于所述重疊的區域的與所述第一方向平行的長度，在所述第一FET組中，越靠近所述一端越長，在所述第二FET組中，越靠近所述另一端越長，

所述電容元件由所述漏極電極和所述源極電極的所述重疊的區域形成。

2.根據權利要求1所述的雙向開關電路，其中，

所述第一電容元件組包含的電容元件的級數與所述第二電容元件組包含的電容元件的級數滿足M＝N，

所述第一電容元件組中的從所述一端側起數第k個電容元件的電容值與所述第二電容元件組中的從所述另一端側起數第k個電容元件的電容值相等，其中，k為1以上且M以下的至少一個整數。

3.根據權利要求1所述的雙向開關電路，其中，

所述第一電容元件組包含的電容元件的級數與所述第二電容元件組包含的電容元件的級數滿足M＝N，

所述第一電容元件組中的從所述一端側起數第k個電容元件的電容值與所述第二電容元件組中的從所述另一端側起數第k個電容元件的電容值相等，其中，k為1以上且M以下的任意的整數。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的雙向開關電路，其中，

所述FET群包含的FET的級數與所述第一電容元件組以及所述第二電容元件組包含的電容元件的級數滿足L＞M+N。

5.根據權利要求1至3中的任一項所述的雙向開關電路，其中，

所述第一電容元件組包含的電容元件的級數與所述第二電容元件組包含的電容元件的級數滿足M＝N，

所述第一FET組中的從所述一端側起數第k個FET的所述重疊的區域的與所述第一方向平行的長度等于所述第二FET組中的從所述另一端側起數第k個FET的所述重疊的區域的與所述第一方向平行的長度，其中，k為1以上且M以下的任意的整數。

6.根據權利要求5所述的雙向開關電路，其中，

所述FET群還具備：第三FET組，連接在所述第一FET組與所述第二FET組之間，

所述第三FET組包含的FET不具有所述重疊的區域。

7.根據權利要求1至3中的任一項所述的雙向開關電路，其中，

在所述第一電容元件組中，最靠近所述一端的電容元件的電容值最大，在所述第二電容元件組中，最靠近所述另一端的電容元件的電容值最大。

8.一種開關裝置，具備：

三個輸入端子；

三個輸出端子；以及

九個路徑，通過權利要求1至7中的任一項所述的雙向開關電路，將所述三個輸入端子中的一個與所述三個輸出端子中的一個進行電連接。