[發明專利]帶有融合金屬納米線的透明導電電極、它們的結構設計及其制造方法

有效

• 申請號: 201810577105.1
• 申請日: 2014-01-22
• 公開（公告）號: CN108806836B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 潘克菲
• 申請（專利權）人: 蘇州諾菲納米科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B1/02
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

本發明揭示一種圖案化的透明導電膜，其包括一個基板以及位于所述基板頂部的主要導電單層。所述導電單層包括具有金屬納米線網絡的第一區域以及在芯殼結構中具有金屬/金屬氧化物納米線的第二區域。

相互參照的相關申請

本申請要求主張美國臨時專利申請61809224、61809353、61809354、美國實用申請13906330的權利。下列美國實用專利申請中所揭示的主題均被全文并入本專利申請中作為參考：

申請號61809224，申請日2013年4月5日；

申請號61809353，申請日2013年4月6日；

申請號61809354，申請日2013年4月6日；

申請號13906330，申請日2013年5月30日。

【技術領域】

本發明涉及一種圖案化的透明導電膜及其制造方法，其中所述透明導電膜具有均勻的光學特性，但是異質的電學性能。

【背景技術】

由金屬納米線制成的具有光學透明和導電的薄膜有希望替代銦錫氧化物(ITO)膜，被應用在各種電子裝置中，例如液晶顯示器(LCD)、有機發光二極管(OLED)和太陽能電池。

應用在顯示器和觸摸屏裝置中的透明導電膜，需要進行圖案化處理以得到導電區域和非導電區域，但同時又要保持光學透明性。先前，由網狀的銀納米線所組成的透明導電膜被嵌入在基板薄膜內或者通過粘接層結合在所述基板表面，當對該導電膜進行圖案化處理之后，該導電膜的導電區(含銀納米線)與非導電區域在光學特性上的差異就變得可被人眼識別。

有需要提供一種方法，對薄膜中導電區與非導電區之間不可見的邊緣進行圖案化處理。一種解決方案是使導電膜的導電區和非導電區具有相同的光學特性。此外，對所述薄膜進行圖案化處理的工序應當操作方便、可擴展性好以及有效。

【發明內容】

本發明的目的在于提供一種適用于任何基板，且電學性能和光學性能較好的透明導電膜，并且可以通過低成本、高通量進行制造和圖案化。

在本發明的一個方面，它公開了一種具有均勻的光學特性和異質的電學性能的導電膜組分。

在一個實施例中，本發明涉及一種具有均勻的光學特性和異質的電學性能的導電膜組分。所述導電膜包括具有第一材料的第一區域以及具有第二材料的第二區域。其中所述第一材料和第二材料之間的折射率差小于0.2，霧度差小于0.2。所述第二材料是所述第一材料的氧化形式，且所述第二區域的導電性比所述第一區域的導電性弱。

在另一個實施例中，本發明涉及一種圖案化的透明導電膜，其包括一個基板以及位于所述基板上的主要單層。所述主要單層包括具有金屬納米線網絡的第一區域以及在芯殼結構中具有金屬/金屬氧化物納米線的第二區域。其中，所述納米線的芯包括金屬元素，所述納米線的殼包括金屬氧化物。

在進一步的實施方式中，本發明涉及一種圖案化的透明導電膜，其包括一個基板以及位于所述基板上的主要單層。所述主要單層包括具有金屬納米線網絡的第一區域以及具有納米線的第二區域，其中第二區域中至少一根納米線通過一個接合點與另一根納米線相連接，但是不導電。所述接合點包括金屬氧化物。所述單層的總厚度大約或者小于150納米，所述第二區域在一個維度上的尺寸為5微米-200微米。

在又一實施例中，本發明涉及一種具有均勻的光學特性和異質的電學性能的導電電極組分，其包括具有第一材料的第一區域以及具有第二材料的第二區域。其中所述第一材料和第二材料之間的折射率差小于0.2，霧度差不大于0.2％；所述第一區域在一個維度上的尺寸至少為10微米；所述第一材料通過紫外線及光酸產生劑被轉換為所述第二材料，且所述第一區域的導電性比所述第二區域的導電性強。