[發(fā)明專利]一種降低干燥槽引起的顆粒雜質(zhì)的裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810576581.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108682643A | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 俞力洋;倉(cāng)凌盛;張傳民;陳建維 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 干燥腔 擱置槽 水清洗 干燥槽 擋板 顆粒雜質(zhì) 氮?dú)夤?/a> 晶圓 水管 排水管 排氣管 干燥工藝 清洗工藝 預(yù)定距離 可拆卸 連通 擱置 清洗 開口 隔離 | ||
1.一種降低干燥槽引起的顆粒雜質(zhì)的裝置,適用于晶圓進(jìn)行干燥工藝和水清洗工藝的過程中,所述干燥槽包括干燥腔與水清洗槽,其特征在于,包括:
所述干燥腔用以所述晶圓進(jìn)行所述干燥工藝;
所述水清洗槽設(shè)置于所述干燥腔的下方,與所述干燥腔設(shè)定一預(yù)定距離,所述水清洗槽用以所述晶圓進(jìn)行所述水清洗工藝;
一擋板,可拆卸地設(shè)置于所述干燥腔與所述水清洗槽之間,用以隔離所述干燥腔與所述水清洗槽;
一擱置槽,設(shè)置于所述干燥槽的一側(cè),且開設(shè)一開口以連通所述干燥槽,于所述晶圓下降至所述水清洗槽進(jìn)行所述水清洗工藝時(shí),所述擋板放置于所述擱置槽內(nèi);
所述擱置槽的上方連通一水管與一氮?dú)夤?,于所述擋板擱置于所述擱置槽內(nèi)時(shí),通過所述水管與所述氮?dú)夤芤郧逑此鰮醢澹?/p>
所述擱置槽的下方設(shè)置與所述水管和所述氮?dú)夤軐?duì)應(yīng)的排水管與排氣管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述擋板的尺寸大小與所述干燥槽的尺寸相匹配。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述擋板的結(jié)構(gòu)與所述擱置槽的結(jié)構(gòu)相匹配。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述預(yù)定距離大于所述擋板的厚度,與所述擱置槽的厚度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述干燥腔、所述水清洗槽及所述擱置槽一體成型。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述干燥腔的結(jié)構(gòu)與所述晶圓結(jié)構(gòu)相適配。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述水清洗槽的結(jié)構(gòu)與所述晶圓結(jié)構(gòu)相適配。
8.一種槽型濕法清洗設(shè)備,包括上述權(quán)利要求1-7所述的降低干燥槽引起的顆粒雜質(zhì)的裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





