[發(fā)明專(zhuān)利]計(jì)算設(shè)備的芯片調(diào)頻方法、裝置、算力板、計(jì)算設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810576556.3
• 申請(qǐng)日: 2018-06-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109086130B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張楠賡;徐英韜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京嘉楠捷思信息技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F9/50
• 分類(lèi)號(hào): G06F9/50;G06F1/26;G06F1/18
• 代理公司: 北京市立康律師事務(wù)所 11805
• 代理人: 梁揮;林媛媛

1.一種計(jì)算設(shè)備的芯片調(diào)頻方法，所述計(jì)算設(shè)備設(shè)置有至少一運(yùn)算芯片，所述運(yùn)算芯片設(shè)置有多個(gè)內(nèi)核，其特征在于，包括步驟有：

為所述計(jì)算設(shè)備的所述運(yùn)算芯片設(shè)置多個(gè)工作頻點(diǎn)，將所述運(yùn)算芯片中的多個(gè)內(nèi)核分別工作于各所述工作頻點(diǎn)；

分析每個(gè)所述內(nèi)核在當(dāng)前工作頻點(diǎn)的計(jì)算性能指標(biāo)；

根據(jù)所述內(nèi)核的所述計(jì)算性能指標(biāo)，對(duì)所述內(nèi)核的所述當(dāng)前工作頻點(diǎn)進(jìn)行上調(diào)或下調(diào)；

統(tǒng)計(jì)被調(diào)頻后的所述內(nèi)核在各所述工作頻點(diǎn)上的當(dāng)前分布狀態(tài)；

根據(jù)所述內(nèi)核的所述當(dāng)前分布狀態(tài)和預(yù)定的頻點(diǎn)調(diào)整機(jī)制，調(diào)整設(shè)置所述工作頻點(diǎn)的頻率，所述頻點(diǎn)調(diào)整機(jī)制是內(nèi)核分布狀態(tài)與頻點(diǎn)調(diào)整的對(duì)應(yīng)關(guān)系；

所述工作頻點(diǎn)包括至少一高頻工作頻點(diǎn)、至少一中間工作頻點(diǎn)和至少一低頻工作頻點(diǎn)，所述高頻工作頻點(diǎn)中頻率最高的是最高工作頻點(diǎn)，所述低頻工作頻點(diǎn)中頻率最低的是最低工作頻點(diǎn)；

所述根據(jù)所述內(nèi)核的所述當(dāng)前分布狀態(tài)和所述頻點(diǎn)調(diào)整機(jī)制，調(diào)整設(shè)置所述工作頻點(diǎn)的頻率的步驟還包括：

若超過(guò)預(yù)定的第二比率的所述內(nèi)核工作于至少一所述高頻工作頻點(diǎn)上，將至少一所述工作頻點(diǎn)修改設(shè)置為至少一優(yōu)化高頻工作頻點(diǎn)，所述優(yōu)化高頻工作頻點(diǎn)的頻率高于所述最高工作頻點(diǎn)的頻率；和/或

若超過(guò)預(yù)定的第三比率的所述內(nèi)核工作于至少一所述低頻工作頻點(diǎn)上，將至少一所述工作頻點(diǎn)修改設(shè)置為至少一優(yōu)化低頻工作頻點(diǎn)，所述優(yōu)化低頻工作頻點(diǎn)的頻率低于所述最低工作頻點(diǎn)的頻率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片調(diào)頻方法，其特征在于，所述為所述計(jì)算設(shè)備的所述運(yùn)算芯片設(shè)置多個(gè)所述工作頻點(diǎn)，將所述運(yùn)算芯片中的多個(gè)所述內(nèi)核分別工作于各所述工作頻點(diǎn)的步驟還包括：

通過(guò)多個(gè)鎖相環(huán)電路為所述運(yùn)算芯片設(shè)置多個(gè)所述工作頻點(diǎn)，所述工作頻點(diǎn)與所述鎖相環(huán)電路為一一對(duì)應(yīng)關(guān)系；

所述根據(jù)所述內(nèi)核的所述計(jì)算性能指標(biāo)，對(duì)所述內(nèi)核的所述當(dāng)前工作頻點(diǎn)進(jìn)行上調(diào)或下調(diào)的步驟還包括：

根據(jù)所述內(nèi)核的所述計(jì)算性能指標(biāo)，通過(guò)所述鎖相環(huán)電路對(duì)所述內(nèi)核的所述當(dāng)前工作頻點(diǎn)進(jìn)行上調(diào)或下調(diào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片調(diào)頻方法，其特征在于，所述鎖相環(huán)電路設(shè)置于所述運(yùn)算芯片的內(nèi)部或外部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片調(diào)頻方法，其特征在于，相鄰的所述工作頻點(diǎn)之間的頻差為1～10％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片調(diào)頻方法，其特征在于，所述分析每個(gè)所述內(nèi)核在所述當(dāng)前工作頻點(diǎn)的所述計(jì)算性能指標(biāo)的步驟還包括：

在預(yù)定的調(diào)整周期內(nèi)，分析所述內(nèi)核的所述計(jì)算性能指標(biāo)是否達(dá)到預(yù)定的第一指標(biāo)閾值、第二指標(biāo)閾值和/或第三指標(biāo)閾值，所述第一指標(biāo)閾值與所述第二指標(biāo)閾值相同或者不相同；

所述根據(jù)所述內(nèi)核的所述計(jì)算性能指標(biāo)，對(duì)所述內(nèi)核的所述當(dāng)前工作頻點(diǎn)進(jìn)行上調(diào)或下調(diào)的步驟還包括：

若所述內(nèi)核的所述計(jì)算性能指標(biāo)達(dá)到所述第一指標(biāo)閾值，將所述內(nèi)核的所述當(dāng)前工作頻點(diǎn)上調(diào)到上一個(gè)工作頻點(diǎn)；

若所述內(nèi)核的所述計(jì)算性能指標(biāo)未達(dá)到所述第二指標(biāo)閾值，將所述內(nèi)核的所述當(dāng)前工作頻點(diǎn)下調(diào)到下一個(gè)工作頻點(diǎn)；和/或

若所述內(nèi)核的所述計(jì)算性能指標(biāo)達(dá)到所述第三指標(biāo)閾值，將所述內(nèi)核的所述當(dāng)前工作頻點(diǎn)下調(diào)到下一個(gè)工作頻點(diǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片調(diào)頻方法，其特征在于，還包括步驟有：

若工作于預(yù)定的至少一個(gè)優(yōu)化工作頻點(diǎn)的所述內(nèi)核超過(guò)預(yù)定的第一比率，停止對(duì)所述內(nèi)核進(jìn)行調(diào)頻；或者

若工作于至少一所述優(yōu)化工作頻點(diǎn)上的所述內(nèi)核的數(shù)目最多，停止對(duì)所述內(nèi)核進(jìn)行調(diào)頻。