[發(fā)明專利]一種功率半導(dǎo)體模塊襯底及功率半導(dǎo)體模塊

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• 申請日: 2018-06-06
• 公開（公告）號: CN108447847A
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安冰翀
• 申請（專利權(quán)）人: 臻驅(qū)科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H01L25/18
• 代理公司: 北京金信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 劉鋒;吳崇

1.一種功率半導(dǎo)體模塊襯底，其特征在于，包括第一橋臂單元，所述第一橋臂單元包括沿第一方向依次設(shè)置的第一功率金屬敷層、第一輔助金屬敷層和第二功率金屬敷層；所述第二功率金屬敷層設(shè)有第一功率開關(guān)，所述第一功率金屬敷層通過所述第一功率開關(guān)與所述第二功率金屬敷層導(dǎo)電連接；所述第一輔助金屬敷層與所述第一功率金屬敷層、所述第二功率金屬敷層絕緣設(shè)置，并且與所述第一功率開關(guān)信號連接；其中，

所述第一功率開關(guān)包括第一開關(guān)組、第二開關(guān)組、第三開關(guān)組和第四開關(guān)組，所述第一開關(guān)組、第二開關(guān)組、第三開關(guān)組和第四開關(guān)組依次沿第二方向并排設(shè)置，開關(guān)組分別包括沿所述第一方向設(shè)置并且相互連接的晶體管芯片和二極管芯片，所述第一開關(guān)組的晶體管芯片和所述第三開關(guān)組的晶體管芯片分別靠近所述第一輔助金屬敷層設(shè)置，所述第二開關(guān)組的晶體管芯片和所述第四開關(guān)組的晶體管芯片分別遠離所述第一輔助金屬敷層設(shè)置。

2.如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊襯底，其特征在于，還包括第二橋臂單元，所述第二橋臂單元包括沿第一方向依次設(shè)置的第三功率金屬敷層、第二輔助金屬敷層和第四功率金屬敷層；所述第三功率金屬敷層設(shè)有第二功率開關(guān)，所述第三功率金屬敷層通過所述第一功率開關(guān)與所述第二功率金屬敷層導(dǎo)電連接，所述第四功率金屬敷層通過所述第二功率開關(guān)與所述第三功率金屬敷層導(dǎo)電連接；所述第二輔助金屬敷層與所述第三功率金屬敷層、所述第四功率金屬敷層絕緣設(shè)置，并且與所述第二功率開關(guān)信號連接；其中，

所述第二功率開關(guān)包括第五開關(guān)組、第六開關(guān)組、第七開關(guān)組和第八開關(guān)組，所述第五開關(guān)組、第六開關(guān)組、第七開關(guān)組和第八開關(guān)組依次沿第二方向并排設(shè)置，開關(guān)組分別包括沿所述第一方向設(shè)置并且相互連接的晶體管芯片和二極管芯片，所述第五開關(guān)組的晶體管芯片和所述第七開關(guān)組的晶體管芯片分別靠近所述第二輔助金屬敷層設(shè)置，所述第六開關(guān)組的晶體管芯片和所述第八開關(guān)組的晶體管芯片分別遠離所述第二輔助金屬敷層設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1或2所述的功率半導(dǎo)體模塊襯底，其特征在于，所述晶體管芯片和所述二極管芯片沿所述第一方向分別設(shè)有兩組功率電極，所述晶體管芯片和所述二極管芯片相互靠近的一組的功率電極用于相互連接，所述晶體管芯片和所述二極管芯片相互遠離的一組的功率電極用于與功率金屬敷層導(dǎo)電連接。

4.如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊襯底，其特征在于，所述晶體管芯片設(shè)有控制電極，所述第一輔助金屬敷層通過所述晶體管芯片的控制電極與所述第一開關(guān)組、第二開關(guān)組、第三開關(guān)組和第四開關(guān)組信號連接。

5.如權(quán)利要求4所述的功率半導(dǎo)體模塊襯底，其特征在于，所述第一輔助金屬敷層上設(shè)有第一柵極信號端子，所述第一開關(guān)組和所述第二開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極分別相對設(shè)置，所述第三開關(guān)組和所述第四開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極分別相對設(shè)置；所述第二開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極與所述第一開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極連接后與所述第一輔助金屬敷層信號連接；所述第四開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極與所述第三開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極連接后與所述第一輔助金屬敷層信號連接。

6.如權(quán)利要求4所述的功率半導(dǎo)體模塊襯底，其特征在于，所述第一功率金屬敷層上與所述第一控制端子對應(yīng)的位置設(shè)有第一發(fā)射極信號端子。

7.如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊襯底，其特征在于，所述晶體管芯片設(shè)有控制電極，所述第二輔助金屬敷層通過所述晶體管芯片的控制電極與所述第五開關(guān)組、第六開關(guān)組、第七開關(guān)組和第八開關(guān)組信號連接。

8.如權(quán)利要求7所述的功率半導(dǎo)體模塊襯底，其特征在于，所述第二輔助金屬敷層上設(shè)有第二柵極信號端子，所述第五開關(guān)組和所述第六開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極分別相對設(shè)置，所述第七開關(guān)組和第八開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極分別相對設(shè)置；所述第六開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極與所述第五開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極連接后與所述第二輔助金屬敷層信號連接，所述第八開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極與所述第七開關(guān)組的晶體管芯片的控制電極連接后與所述第一輔助金屬敷層信號連接。