[發明專利]基于電介質納米磚超材料的線偏振光起偏器及制備方法

有效

• 申請號: 201810575094.3
• 申請日: 2018-06-06
• 公開（公告）號: CN108663740B
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 鄭國興;陳奎先;崔圓;鄧聯貴;鄧娟;戴琦;付嬈;李子樂;劉勇;毛慶洲
• 申請（專利權）人: 武漢大學
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;G02B27/00
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 張火春

1.基于電介質納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：

包括一基底和三透射式納米磚陣列；

基底的一側面設有第一透射式納米磚陣列，與該一側面相對的另一側面設有第二透射式納米磚陣列和第三透射式納米磚陣列，第一透射式納米磚陣列和第三透射式納米磚陣列相對設置；

所述第一透射式納米磚陣列和所述第二透射式納米磚陣列均由若干納米磚陣列單元在基底上按陣列形式排列構成；其中，納米磚陣列單元又由基底上等間距排列成一行的方位角為零、但尺寸不一的若干電介質納米磚構成；

所述第三透射式納米磚陣列由若干方位角為45°且尺寸一致的電介質納米磚按陣列形式排列構成；

第一透射式納米磚陣列、第二透射式納米磚陣列、第三透射式納米磚陣列中，所有相鄰的電介質納米磚在行方向和列方向上的間距均相等，且在行方向上的間距等于在列方向上的間距；

所述電介質納米磚均為亞波長尺寸，該電介質納米磚為第一透射式納米磚陣列、第二透射式納米磚陣列、第三透射式納米磚陣列中的所有的電介質納米磚；

所述方位角指電介質納米磚長軸方向與X軸方向的夾角，X軸方向指基底的長軸方向。

2.如權利要求1所述的基于電介質納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：

所述基底為二氧化硅基底。

3.如權利要求1所述的基于電介質納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：

所述電介質納米磚為硅納米磚。

4.如權利要求1所述的基于電介質納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：

所述納米磚陣列單元中電介質納米磚的數量為2～6。

5.如權利要求1所述的基于電介質納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：

第一透射式納米磚陣列和第二透射式納米磚陣列中，納米磚陣列單元在行方向的數量與周期長度Px的乘積不小于入射光斑在行方向上的尺寸；同時，納米磚陣列單元在列方向的數量與周期長度Py的乘積不小于入射光斑在列方向上的尺寸；

所述周期長度Px和Py分別指：行和列方向上，相鄰的兩納米磚陣列單元中第一個電介質納米磚的距離。

6.如權利要求1所述的基于電介質納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：

第三透射式納米磚陣列中，行方向的電介質納米磚數量與像元大小的乘積不小于入射光斑在行方向上的尺寸；列方向的電介質納米磚數量與像元的乘積大小不小于入射光斑在列方向上的尺寸；

所述像元大小為透射式納米磚陣列中相鄰的電介質納米磚在行方向或列方向的間距。

7.如權利要求1所述的基于電介質納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：

所述第一透射式納米磚陣列、所述第二透射式納米磚陣列、所述第三透射式納米磚陣列的尺寸相同。