[發明專利]半導體工藝及半導體設備

有效

• 申請號: 201810574628.0
• 申請日: 2018-06-06
• 公開（公告）號: CN110568733B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 陳俊志;鐘嘉麒;楊文豪;黃鏢浚;林宏銘
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/30
• 分類號: G03F7/30
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種半導體工藝，適于使用半導體設備對半導體晶片進行顯影工藝，其特征在于，所述半導體工藝包括：

在化學溶液經由所述半導體設備的噴嘴提供至所述半導體晶片上的期間，藉由所述半導體設備的攝影裝置依序擷取所述噴嘴的第一圖像及第二圖像；以及

計算所述第一圖像及所述第二圖像的分析區域中所述化學溶液所占的比例，以判斷所述半導體設備是否異常，其中計算所述分析區域中所述化學溶液所占的所述比例是計算所述分析區域中所述噴嘴浸入所述化學溶液的像素數量及/或計算所述分析區域中所述噴嘴未浸入所述化學溶液的像素數量。

2.根據權利要求1所述的半導體工藝，其特征在于，其中計算所述分析區域中所述化學溶液所占的所述比例包括：

當所述第二圖像的所述分析區域中，所述比例達設定值時，停止提供所述化學溶液至所述半導體晶片上。

3.根據權利要求1所述的半導體工藝，其特征在于，其中計算所述分析區域中所述化學溶液所占的所述比例包括：

當所述第二圖像的所述分析區域中，所述比例未達設定值時，顯示所述半導體設備產生異常。

4.根據權利要求1所述的半導體工藝，其特征在于，其中在藉由所述攝影裝置依序擷取所述噴嘴的所述第一圖像及所述第二圖像期間，藉由所述半導體設備的照明裝置提供所述攝影裝置足夠的光源。

5.一種半導體工藝，適于使用半導體設備對半導體晶片進行顯影工藝，其特征在于，所述半導體工藝包括：

在化學溶液經由所述半導體設備的噴嘴提供至所述半導體晶片上的期間，藉由所述半導體設備的攝影裝置拍攝所述化學溶液、所述噴嘴及所述半導體晶片的圖像；以及

分析所述圖像中所述噴嘴浸入所述化學溶液的程度，以判斷所述化學溶液是否足夠進行所述顯影工藝，其中分析所述圖像中所述噴嘴浸入所述化學溶液的程度包括：設定所述圖像的分析區域，并計算所述分析區域中所述噴嘴浸入所述化學溶液的像素數量及/或所述分析區域中所述噴嘴未浸入所述

化學溶液的像素數量，以計算出所述分析區域中所述噴嘴浸入所述化學溶液的比例及/或所述噴嘴未浸入所述化學溶液的比例。

6.根據權利要求5所述的半導體工藝，其特征在于，所述半導體工藝還包括：

在經分析的所述圖像中，所述噴嘴浸入所述化學溶液的程度達設定值時，停止提供所述化學溶液至所述半導體晶片上。

7.根據權利要求5所述的半導體工藝，其特征在于，其中在藉由所述攝影裝置拍攝所述圖像期間，藉由所述半導體設備的照明裝置提供所述攝影裝置足夠的光源。

8.根據權利要求5所述的半導體工藝，其特征在于，所述半導體工藝還包括：

當經分析的所述圖像顯示所述化學溶液供應不足時，清洗在所述半導體晶片上的所述化學溶液并進行重作。

9.一種半導體設備，適于對半導體晶片進行顯影工藝，其特征在于，所述半導體設備包括：

顯影機臺，包括噴嘴，其中所述噴嘴設置于所述半導體晶片上方，以提供化學溶液至所述半導體晶片上；

攝影裝置，拍攝所述噴嘴與所述化學溶液的圖像；

照明裝置，照射所述噴嘴與所述化學溶液；以及

圖像處理器，耦接至所述攝影裝置，以接收所述攝影裝置所拍攝的所述圖像并分析所述圖像中所述噴嘴浸入所述化學溶液的程度，其中所述圖像處理器分析所述圖像中所述噴嘴浸入所述化學溶液的程度包括：設定所述圖像的分析區域，并計算所述分析區域中所述噴嘴浸入所述化學溶液的像素數量及/或所述分析區域中所述噴嘴未浸入所述化學溶液的像素數量。