[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝及制造其的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810572690.6
• 申請日: 2018-06-05
• 公開（公告）號(hào): CN109003963A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金原永;姜善遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 潘軍

半導(dǎo)體封裝包括：第一互連基板，該第一互連基板在第一重新分布基板上并且具有貫穿第一互連基板的第一開口。第一半導(dǎo)體芯片在第一重新分布基板上，并且在第一互連基板的第一開口中。第二重新分布基板在第一互連基板和第一半導(dǎo)體芯片上。第二互連基板在第二重新分布基板上，并且具有貫穿第二互連基板的第二開口。第二半導(dǎo)體芯片在第二重新分布基板上，并且在第二互連基板的第二開口中。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2017年6月7日遞交的韓國專利申請No.10-2017-0070933的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本文描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝和用于制造半導(dǎo)體封裝的方法。

背景技術(shù)

提供了一種半導(dǎo)體封裝以實(shí)現(xiàn)用于電子產(chǎn)品中的集成電路芯片。在一種類型的半導(dǎo)體封裝中，半導(dǎo)體芯片安裝在印刷電路板(PCB)上，并且接合線或凸塊用于將半導(dǎo)體芯片電連接到印刷電路板。

不斷嘗試減小制造半導(dǎo)體封裝的大小、重量和成本。隨著集成度的增加，封裝中的半導(dǎo)體芯片的大小可以變小。然而，粘附、處理和/或測試大小減小的半導(dǎo)體芯片的焊球可能是困難的。此外，根據(jù)半導(dǎo)體芯片的大小獲得多樣化安裝板存在問題。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝包括：第一重新分布基板；第一互連基板，第一互連基板在第一重新分布基板上并且具有貫穿第一互連基板的第一開口；第一半導(dǎo)體芯片，第一半導(dǎo)體芯片在第一重新分布基板上并且在第一互連基板的第一開口中；第一互連基板和第一半導(dǎo)體芯片上的第二重新分布基板；第二互連基板，第二互連基板在第二重新分布基板上并且具有貫穿第二互連基板的第二開口；以及第二半導(dǎo)體芯片，第二半導(dǎo)體芯片在第二重新分布基板上并且在第二互連基板的第二開口中。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施例，一種用于制造半導(dǎo)體封裝的方法，方法包括：在第一互連基板中形成第一開口，并且第一開口貫穿第一互連基板；在第一互連基板的底表面上提供第一載體基板；在第一開口中提供第一半導(dǎo)體芯片；去除第一載體基板以暴露第一半導(dǎo)體芯片的底表面和第一互連基板的底表面；在第一半導(dǎo)體芯片的底表面和第一互連基板的底表面上形成第一重新分布基板；在第二互連基板中形成第二開口，第二開口貫穿第二互連基板；在第二互連基板的底表面上提供第二載體基板；在第二開口中提供第二半導(dǎo)體芯片；將第二互連基板粘附到第一重新分布基板的底表面上；去除第二載體基板以暴露第二半導(dǎo)體芯片的底表面和第二互連基板的底表面；以及在第二半導(dǎo)體芯片的底表面和第二互連基板的底表面上形成第二重新分布基板。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝，包括：第一基板；第一基板上的第一半導(dǎo)體芯片；第一互連基板，第一互連基板在第一基板上并且與第一半導(dǎo)體芯片橫向間隔開，第一半導(dǎo)體芯片在平面圖中由第一互連基板圍繞；第二基板，第二基板電連接到第一互連基板并且覆蓋第一互連基板和第一半導(dǎo)體芯片；第二基板上的第二半導(dǎo)體芯片；以及第二互連基板，第二互連基板在第二基板上并且與第二半導(dǎo)體芯片橫向間隔開，第二半導(dǎo)體芯片在平面圖中由第二互連基板圍繞，其中，第一互連基板和第二互連基板中的每一個(gè)包括基層和基層中的導(dǎo)電構(gòu)件。

附圖說明

圖1示出了半導(dǎo)體封裝的一個(gè)實(shí)施例；

圖2示出了半導(dǎo)體封裝的另一實(shí)施例；

圖3示出了半導(dǎo)體封裝的另一實(shí)施例；

圖4示出了半導(dǎo)體封裝的另一實(shí)施例；

圖5示出了用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的一個(gè)實(shí)施例；以及

圖6A至圖6K示出了用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的各個(gè)階段。

具體實(shí)施方式