[發(fā)明專利]一種COF制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810571152.5
• 申請日: 2018-06-05
• 公開（公告）號: CN108962761A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖億彬;吳振忠;劉秀霞;何基強
• 申請（專利權(quán)）人: 信利半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/492;H01L21/56
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 鄧義華;廖苑濱

本發(fā)明公開了一種COF制備方法，包括步驟：（a）提供臨時基板；（b）在所述臨時基板的上表面貼合柔性薄膜；（c）在所述柔性薄膜上沉積金屬層；（d）使用LCD/TFT曝光蝕刻工藝，將所述金屬層圖案化，形成金屬走線層；（e）將芯片鍵合在所述金屬走線層上；（f）將臨時基板與柔性薄膜分離，從而去掉所述臨時基板，最終獲得所需的COF。如此，可以實現(xiàn)提升工藝精度、提高柔性度和彎折能力，適用范圍大，成本低等技術(shù)效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片封裝領(lǐng)域，特別涉及一種COF制備方法。

背景技術(shù)

COF（Chip On Film）是指薄膜上芯片鍵合封裝，其廣泛地應(yīng)用于顯示器件領(lǐng)域。隨著電子、通訊產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，顯示器的需求與日劇增，而相關(guān)產(chǎn)品都是以輕、薄、短、小為發(fā)展趨勢的，這就要求必須有高密度、小體積、能自由安裝的新一代封裝技術(shù)來滿足以上需求。COF技術(shù)正是在這樣的背景下迅速發(fā)展壯大，成為LCD、PDP等平板顯示器的驅(qū)動IC的一種主要封裝形式，進(jìn)而成為這些顯示模組的重要組成部分。COF技術(shù)已經(jīng)成為未來平板顯示器的驅(qū)動IC封裝的主流趨勢之一。

目前使用較多的COF主要通過TAPE過程工藝制備，然而這種材料工藝的精度較差，一般單面COF Film 最小Pitch 25um，雙面COF Film最小Pitch 35um，這樣的精度越來越不能滿足顯示器件領(lǐng)域的發(fā)展需求。

如何實現(xiàn)精密度更高，成本更低的COF制備成為本領(lǐng)域丞需解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供了一種新型COF制備方法，可以實現(xiàn)提升工藝精度、提高柔性度和彎折能力，適用范圍大，成本低等技術(shù)效果。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為：

提供一種COF制備方法，所述方法包括以下步驟：

（a）提供臨時基板；

（b）在所述臨時基板的上表面貼合柔性薄膜；

（c）在所述柔性薄膜上沉積金屬層；

（d）使用LCD/TFT曝光蝕刻工藝，將所述金屬層圖案化，形成金屬走線層；

（e）將芯片鍵合在所述金屬走線層上；

（f）將臨時基板與柔性薄膜分離，從而去掉所述臨時基板，最終獲得所需的COF。

進(jìn)一步地，所述步驟（c）包括：

（c1）先沉積絕緣層；

（c2）再在所述絕緣層上沉積金屬層；

并且，在執(zhí)行所述步驟（e）之前還包括：按照預(yù)定要求次數(shù)重復(fù)步驟（c1）、（c2）、（d）。

進(jìn)一步地，所述柔性薄膜的材料選自PI、PET、TAC。

進(jìn)一步地，所述金屬走線層使用鉬鋰鉬和銅制程。

進(jìn)一步地，所述COF的精度為6.5~16um IC pitch。

進(jìn)一步地，所述COF的線距為3um。

進(jìn)一步地，所述預(yù)定要求次數(shù)為1~7。