[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810570894.6
• 申請日: 2018-06-05
• 公開（公告）號: CN110571357B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伏廣才;蔣沙沙
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一具有層間介質(zhì)層的襯底，所述襯底具有顯示區(qū)和位于所述顯示區(qū)外圍的非顯示區(qū)，在所述顯示區(qū)的所述層間介質(zhì)層的表面上形成有第一電極，在所述非顯示區(qū)的所述層間介質(zhì)層中形成有焊盤開口，所述焊盤開口的底部暴露出相應(yīng)的金屬層的頂部；

在所述第一電極的側(cè)壁和所述焊盤開口的側(cè)壁上均形成側(cè)墻，所述側(cè)墻是上窄下寬的結(jié)構(gòu)，所述側(cè)墻的材料為具有防粘性能的有機(jī)化合物和/或非晶碳，所述側(cè)墻與所述層間介質(zhì)層之間具有較強(qiáng)的粘附力，而與所述第一電極以及焊盤開口底部暴露的金屬層之間具有相對較弱的粘附力，所述側(cè)墻的外側(cè)壁的上部為圓滑的弧線段；

在所述第一電極、側(cè)墻以及層間介質(zhì)層的表面上依次形成電極間介質(zhì)層以及與所述第一電極相對應(yīng)的第二電極，并去除所述焊盤開口中的側(cè)墻，其中，所述電極間介質(zhì)層暴露出所述焊盤開口并覆蓋所述顯示區(qū)的第一電極、側(cè)墻以及層間介質(zhì)層的表面，所述第二電極位于所述顯示區(qū)中，所述電極間介質(zhì)層包括有機(jī)發(fā)光層，且所述第一電極的側(cè)壁上的側(cè)墻的厚度及側(cè)墻外側(cè)壁的形狀滿足以下條件：能分散抵消所述電極間介質(zhì)層上因自身重力以及包括第二電極在內(nèi)的后續(xù)膜層下壓的壓力而產(chǎn)生的拉伸力。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，提供所述襯底的步驟包括：

提供一基底，采用CMOS工藝在所述基底上形成至少一個晶體管；

采用多層金屬互連工藝在所述基底和所述晶體管元件的表面上形成與所述晶體管電連接的多層金屬互連結(jié)構(gòu)，所述多層金屬互連結(jié)構(gòu)包括最頂層互連金屬層、位于所述最頂層互連金屬層之下的次頂層互連金屬層、位于最頂層互連金屬層與次頂層互連金屬層之間的所述層間介質(zhì)層以及位于所述層間介質(zhì)層的電連接所述最頂層互連金屬層與次頂層互連金屬層的頂部導(dǎo)電插塞結(jié)構(gòu)；

圖案化所述最頂層互連金屬層，以形成所述第一電極，并暴露出所述層間介質(zhì)層的用于形成所述焊盤開口的區(qū)域表面；

刻蝕暴露出的所述層間介質(zhì)層用于形成所述焊盤開口的區(qū)域表面，以形成所述焊盤開口，所述焊盤開口暴露出所述次頂層互連金屬層的頂部。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述有機(jī)化合物包括聚酰亞胺、聚甲基丙烯酸、聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷、聚四氟乙烯、聚對二甲苯、全氟癸羧酸、全氟辛基三氯硅烷、過氟奎基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、二氯二甲基硅烷、氯代硅烷、氯氟硅烷、甲氧基硅烷、三氯硅烷、硅酮、聚苯乙烯、聚氨基甲酸酯和聚硅氮烷中的至少一種。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一電極為陰極，所述第二電極為陽極，且所述第二電極的材料包括銦錫氧化物和銦鋅氧化物中的一種。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述側(cè)墻的外側(cè)壁的上部為弧形線段，下部為直立或者傾斜的直線段或者曲線段。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，形成圖案化的電極間介質(zhì)層以及第二電極的步驟包括：

在所述第一電極、側(cè)墻以及層間介質(zhì)層的表面上覆蓋電極間介質(zhì)層；

圖案化所述電極間介質(zhì)層，以暴露出所述焊盤開口；

在所述電極間介質(zhì)層以及所述焊盤開口的表面上覆蓋第二電極層；

圖案化所述第二電極層，以形成暴露出所述焊盤開口的第二電極。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在圖案化所述電極間介質(zhì)層之后，進(jìn)行表面清洗，以去除所述焊盤開口中剩余的側(cè)墻材料層。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述第一電極、層間介質(zhì)層和焊盤開口的表面上覆蓋所述側(cè)墻材料層之前，先在所述焊盤開口中形成鋁墊；或者，在形成所述第二電極之后，在所述焊盤開口中形成鋁墊。