[發明專利]用于數據復制的設備及方法有效
| 申請號: | 201810570114.8 | 申請日: | 2018-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN109003635B | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發明(設計)人: | J·J·威爾科克 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G11C7/06 | 分類號: | G11C7/06;G11C7/08;G11C7/22 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 數據 復制 設備 方法 | ||
本發明包含用于數據復制的設備及方法。實例設備包含:多個感測電路,其包括相應感測放大器及計算組件;及控制器。所述控制器可經配置以導致復制存儲于第一計算組件中的數據值使得所述數據值被傳播到第二計算組件。
技術領域
本發明大體上涉及半導體存儲器及方法,且更特定來說,本發明涉及用于數據復制的設備及方法。
背景技術
存儲器裝置通常被提供作為計算機或其它電子系統中的內部半導體集成電路。存在許多不同類型的存儲器,包含易失性及非易失性存儲器。易失性存儲器可能需要電力來維持其數據(例如,主機數據、錯誤數據等)且包含隨機存取存儲器(RAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)、靜態隨機存取存儲器(SRAM)、同步動態隨機存取存儲器(SDRAM) 及晶閘管隨機存取存儲器(TRAM)等。非易失性存儲器可通過在不供電時留存經存儲數據提供永久數據且可包含NAND快閃存儲器、NOR快閃存儲器及電阻可變存儲器,例如相變隨機存取存儲器(PCRAM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)及磁阻式隨機存取存儲器(MRAM),例如自旋力矩轉移隨機存取存儲器(STT RAM)等。
電子系統通常包含若干處理資源(例如,一或多個處理器),其可檢索及執行指令且將經執行指令的結果存儲到適當的位置。處理器可包括若干功能單元,例如算術邏輯單元(ALU)電路、浮點單元(FPU)電路及組合邏輯塊,例如,所述組合邏輯塊可用于通過對數據(例如,一或多個操作數)執行操作來執行指令。如本文使用,操作可為例如布爾運算,例如AND、OR、NOT、NAND、NOR及XOR及/或其它運算(例如,逆運算、移位運算、數學運算、統計運算以及許多其它可能運算)。舉例來說,功能單元電路可用于經由若干操作對操作數執行算術運算,例如加法、減法、乘法及除法。
電子系統中的若干組件可涉及將指令提供到功能單元電路以供執行。所述指令可例如由處理資源(例如控制器及/或主機處理器)執行。數據(例如,將對其執行指令的操作數) 可存儲于可由功能單元電路存取的存儲器陣列中。指令及/或數據可在功能單元電路開始對數據執行指令之前從存儲器陣列檢索且排序及/或緩沖。此外,因為不同類型的操作可通過功能單元電路在一或多個時鐘循環中執行,所以指令及/或數據的中間結果也可被排序及/或緩沖。在一或多個時鐘循環中完成操作的序列可稱為操作循環。就計算設備及/或系統的處理及計算性能及功率消耗來說,完成操作循環所耗費的時間成本高昂。
在許多例子中,處理資源(例如,處理器及相關聯的功能單元電路)可在存儲器陣列外部,且經由處理資源與存儲器陣列之間的總線存取數據以執行一組指令。處理性能可在存儲器中處理器(PIM)裝置中得到改進,其中處理器可內部地且接近存儲器實施(例如,直接在與存儲器陣列相同的芯片上實施)。存儲器中處理裝置可通過減少及/或消除外部通信來節省時間及/或電力。
發明內容
根據一些實施例,一種設備包括:多個感測電路,其各自包括感測放大器及計算組件;及控制器,其經配置以導致復制存儲于第一計算組件中的數據值使得所述數據值被傳播到第二計算組件。
根據一些實施例,一種設備包括:控制信號邏輯;控制信號線;及多個存儲位置,其中:所述控制信號邏輯經配置以啟用數據復制信號;且所述控制信號線經配置以斷言所述數據復制信號以導致經復制數據值從所述多個存儲位置之中的第一存儲位置傳送到所述多個存儲位置之中的第二存儲位置,其中所述第一存儲位置在第一計算組件中且所述第二存儲位置在第二計算組件中。
根據一些實施例,一種系統包括:第一感測電路,其包含第一感測放大器及第一計算組件;第二感測電路,其包含第二感測放大器及第二計算組件;及控制器,其經配置以導致經復制數據值從所述第一計算組件傳送到所述第二計算組件。
根據一些實施例,一種方法包括:確定與第二存儲位置相關聯的復制掩碼被啟用;生成經復制數據值;及至少部分基于確定與所述第二存儲位置相關聯的復制掩碼被啟用將所述經復制數據值從第一存儲位置傳送到所述第二存儲位置。
附圖說明
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