[發(fā)明專利]一種原子層沉積方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810569904.4
• 申請日: 2018-06-05
• 公開（公告）號: CN110565072B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發(fā)明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458;C23C16/52
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種原子層沉積方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、提供反應腔室，所述反應腔室中置有能夠旋轉的承載臺；所述承載臺上載入設有下電極支架組的晶圓；

S2、向所述反應腔室中通入第一反應氣體，所述第一反應氣體部分附著于所述下電極支架組的表面；

S3、進行第一腔室清潔，包括先對所述反應腔室進行第一抽真空處理，再向所述反應腔室中通入第一清潔氣體，由所述第一抽真空處理至所述第一清潔氣體的通入的循環(huán)操作為兩次或兩次以上以排出所述反應腔室中懸浮殘留的所述第一反應氣體；

S4、向所述反應腔室中通入第二反應氣體，所述第二反應氣體與附著于所述下電極支架組表面的所述第一反應氣體反應，以在所述下電極支架組的表面形成第一層薄膜；

S5、進行第二腔室清潔，包括先對所述反應腔室進行第二抽真空處理，再向所述反應腔室中通入所述第二清潔氣體，以排出所述反應腔室中懸浮殘留的第二反應氣體以及所述第一反應氣體與所述第二反應氣體反應的游離副產物；

其中，所述第一抽真空處理和所述第一清潔氣體的通入過程中，所述承載臺保持旋轉，通入所述第一清潔氣體所用時間滿足所述承載臺旋轉一周用時的整數(shù)倍關系，由所述第一抽真空處理至所述第一清潔氣體的通入的循環(huán)操作次數(shù)大于由所述第二抽真空處理至所述第二清潔氣體的通入的操作次數(shù)。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種原子層沉積方法，其特征在于，所述第一反應氣體包括氧源前驅體，所述第二反應氣體包括C₁₁H₂₂N₃Zr，且不與所述第一清潔氣體產生化學反應。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種原子層沉積方法，其特征在于，所述第一清潔氣體和所述第二清潔氣體包括惰性氣體和氮氣中的其中一種。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種原子層沉積方法，其特征在于，所述第一抽真空處理所用時間亦滿足所述承載臺旋轉一周用時的整數(shù)倍關系。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種原子層沉積方法，其特征在于，所述下電極支架組包括下支撐層、中間支撐層、上支撐層以及下電極本體；所述下支撐層、所述中間支撐層及所述上支撐層分別支撐所述下電極本體的底部、中間部和頂部。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種原子層沉積方法，其特征在于，所述下支撐層、所述中間支撐層和所述上支撐層的材料包括氮化硅；所述下電極本體的材料包括氮化鈦。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種原子層沉積方法，其特征在于，

還包括：S6、向所述反應腔室中通入第三反應氣體，所述第三反應氣體部分附著于所述第一層薄膜的表面；

S7、進行第三腔室清潔，包括先對所述反應腔室進行第三抽真空處理，再向所述反應腔室中通入所述第三清潔氣體，由所述第三抽真空處理至所述第三清潔氣體的通入的循環(huán)操作為兩次或兩次以上，以排出所述反應腔室中漂浮的所述第三反應氣體；

S8、向所述反應腔室中通入所述第四反應氣體，所述第四反應氣體與附著于所述第一層薄膜表面的所述第三反應氣體反應，以形成第二層薄膜；

S9、進行第四腔室清潔，包括先對所述反應腔室進行第四抽真空處理，再向所述反應腔室中通入所述第四清潔氣體，以排出所述反應腔室中懸浮殘留的第四反應氣體以及所述第三反應氣體與所述第四反應氣體反應的游離副產物；

其中，所述第三抽真空處理和所述第三清潔氣體的通入過程中，所述承載臺保持旋轉，通入所述第三清潔氣體所用時間滿足所述承載臺旋轉一周用時的整數(shù)倍關系，由所述第三抽真空處理至所述第三清潔氣體的通入的循環(huán)操作次數(shù)大于由所述第四抽真空處理至所述第四清潔氣體的通入的操作次數(shù)。

8.根據(jù)權利要求7所述的一種原子層沉積方法，其特征在于，所述第三清潔氣體和所述第四清潔氣體包括氮氣。