[發明專利]一種納米多孔GaN結構及其制備方法有效
| 申請號： | 201810567400.9 | 申請日： | 2018-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN108878261B | 公開（公告）日： | 2021-10-29 |
| 發明（設計）人： | 許并社;賈偉;樊騰;張竹霞;李天保;董海亮 | 申請（專利權）人： | 太原理工大學 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 太原晉科知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 多孔 gan 結構 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種納米多孔GaN結構的制備方法，所述納米多孔GaN結構，包括藍寶石襯底，依次層疊形成在所述襯底c面上的形核層、非摻雜GaN層以及在非摻雜GaN層上的金納米顆粒，其特征在于：所述制備方法包括如下步驟：
第一步，在藍寶石襯底上形成形核層；形核層的鎵源為TMGa，氮源為NH3，形核層的生長溫度為500-570℃；
第二步，在所述形核層上形成非摻雜GaN層；非摻雜GaN層的鎵源為TMGa，氮源為NH3，非摻雜GaN層的生長溫度為1000-1100℃，非摻雜GaN層的生長時間為30-150min，厚度為1-5μm；
第三步，進行噴金，在所述非摻雜GaN層上形成金納米顆粒；噴金時間為10-100s；
第四步，將第三步形成的樣品在反應腔中進行高溫分解，利用高溫下金納米顆粒催化GaN分解，納米顆粒覆蓋的區域快速向下分解形成納米孔，得到納米多孔GaN結構；高溫分解時，以5:5的比例向反應腔中通入H2和N2的混合氣；所述高溫分解溫度為900-1100℃；所述高溫分解時間為10-30min。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于太原理工大學，未經太原理工大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810567400.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
