[發明專利]一種零溫度系數超低功耗基準電壓電路在審
| 申請號： | 201810566334.3 | 申請日： | 2018-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN108427471A | 公開（公告）日： | 2018-08-21 |
| 發明（設計）人： | 郭婷婷 | 申請（專利權）人： | 北京中電華大電子設計有限責任公司 |
| 主分類號： | G05F1/567 | 分類號： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌平區北七家鎮未*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 零溫度系數 負溫度系數電壓 正溫度系數電壓 基準電壓電路 超低功耗 電路 零溫度系數電壓 帶隙基準結構 電流功耗 電路組成 功能實現 基準電壓 功耗 疊加 | ||
1.一種零溫度系數超低功耗基準電壓電路，其特征在于，主要包括產生負溫度系數電壓模塊和正溫度系數電壓模塊，其中：
負溫度系數電壓模塊，由電流源I1和PNP雙極型晶體管P1組成，電流源I1流入PNP雙極型晶體管P1的發射極，雙極型晶體管的基極和集電極接到地；雙極型晶體管的集電極節點VBE連接NMOS器件NM1的柵極；
正溫度系數電壓模塊，由電流源I2，NMOS管NM0，NMOS管NM1，電流源I3，NMOS管NM2，NMOS管NM3，電流源I4，NMOS管NM4，NMOS管NM5，電流源I5，NMOS管NM6，NMOS管NM7，電流源I6，NMOS管NM8組成；電流源I2流入NM1的漏極，NM1的源級連接NM0的漏極節點A，NM1的柵極連接節點VBE，NM0的柵極連接NM1的漏極，NM0的源級接地；電流源I3流入NM3的漏極，NM3的源級連接NM2的漏極為節點B，NM3的柵極和NM2的柵極都連接到NM3的漏極，NM2的源級連接節點A；電流源I4流入NM5的漏極，NM5的源級連接NM4的漏極為節點C，NM5的柵極和NM4的柵極都連接到NM5的漏極，NM4的源級連接節點B；電流源I5流入NM7的漏極，NM7的源級連接NM6的漏極為節點D，NM7的柵極和NM6的柵極都連接到NM7的漏極，NM6的源級連接為節點C；電流源I6流入晶體管NM8的漏極，NM8的柵極與NM8的漏極連接為輸出電壓節點VREF，NM8的源極連接節點D。
2.根據權利要求1所述的一種零溫度系數超低功耗基準電壓電路，其特征在于，PNP雙極型晶體管的發射極節點VBE連接NMOS管NM1的柵極，實現負溫度系數電壓和正溫度系數電壓的疊加。
3.根據權利要求1所述的一種零溫度系數超低功耗基準電壓電路，其特征在于，晶體管NM0，NM1，NM2，NM3，NM4，NM5，NM6，NM7，NM8都工作在亞閾值區。
4.根據權利要求1所述的一種零溫度系數超低功耗基準電壓電路，其特征在于，電流源I1，I2，I3，I4，I5，I6電流相同，單條支路的電流在nA級，從而能實現超低功耗。
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