[發(fā)明專利]卷軸型機(jī)械波偵測裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810565374.6 | 申請日： | 2018-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN110553721A | 公開（公告）日： | 2019-12-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳健章;梁貽德;吳強(qiáng);張管青;林曉逸 | 申請（專利權(quán)）人： | 風(fēng)起科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G01H17/00 | 分類號： | G01H17/00 |
| 代理公司： | 11228 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 程殿軍 |
| 地址： | 中國臺灣桃園市中壢區(qū)中大*** | 國省代碼： | 中國臺灣;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 機(jī)械波 感測晶片 矩陣型 可撓基板 保護(hù)膠層 電性連接 感測元件 控制電路 偵測裝置 卷軸 線路層 物件 偵測 配置 | ||
1.一種卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，其包含：
一可撓基板；
數(shù)個矩陣型機(jī)械波感測晶片，每個該矩陣型機(jī)械波感測晶片包含有數(shù)個機(jī)械波感測元件與一控制電路，該些矩陣型機(jī)械波感測晶片均勻配置于該可撓基板上；
一線路層，形成于該可撓基板上，借以電性連接該些矩陣型機(jī)械波感測晶片；及
一保護(hù)膠層，形成于該些矩陣型機(jī)械波感測晶片上方與該些矩陣型機(jī)械波感測晶片之間，借以于該可撓基板彎曲時，保護(hù)該些矩陣型機(jī)械波感測晶片，并于該些矩陣型機(jī)械波感測晶片接觸一待偵測物件時，形成保護(hù)。
2.如權(quán)利要求1所述的卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，每個該矩陣型機(jī)械波感測晶片包含至少二條線路，一信號線、一時脈線。
3.如權(quán)利要求1所述的卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，每個該矩陣型機(jī)械波感測晶片包含至少四條線路，一電源線、一地線、一致能線、一信號傳輸線。
4.如權(quán)利要求1所述的卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，每個該矩陣型機(jī)械波感測晶片包含至少五條線路，一電源線、一地線、一第一致能線、一第二致能線、一信號傳輸線。
5.如權(quán)利要求1所述的卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，其還包含：
一連接器，具有數(shù)個傳輸端，該線路層的線路連接至該些傳輸端。
6.如權(quán)利要求1所述的卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，該保護(hù)膠層的材料是選自氧化硅、氮化硅或硅化玻璃。
7.如權(quán)利要求1所述的卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，該矩陣型機(jī)械波感測晶片的尺寸介于0.5mm至10mm之間。
8.如權(quán)利要求1的卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，每個該矩陣型機(jī)械波感測晶片具有至少4個機(jī)械波感測元件。
9.如權(quán)利要求1所述的卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，該些矩陣型機(jī)械波感測晶片是以線型排列于該可撓基板上。
10.如權(quán)利要求1所述的卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，該些矩陣型機(jī)械波感測晶片是以交錯式矩陣排列于該可撓基板上。
11.如權(quán)利要求1所述的卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，該些矩陣型機(jī)械波感測晶片是以線型連續(xù)式排列于該可撓基板上，并至少包含一線型排列的該些矩陣型機(jī)械波感測晶片。
12.如權(quán)利要求1所述的卷軸型機(jī)械波偵測裝置，其特征在于，該些矩陣型機(jī)械波感測晶片是以緊密方型矩陣排列于該可撓基板上。
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