[發(fā)明專(zhuān)利]帶有過(guò)渡層的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)、制備方法和應(yīng)用及光陽(yáng)極、太陽(yáng)能光電化學(xué)器件和應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810563746.1
• 申請(qǐng)日: 2018-06-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108806989A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙海光
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 青島大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01G9/20
• 分類(lèi)號(hào): H01G9/20;H01G9/042;C25B1/04;C25B11/06
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 吳嘯寰

1.一種帶有過(guò)渡層的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)，其特征在于，量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)為核層/過(guò)渡層/殼層；

其中，過(guò)渡層為yCdSe_xS_1－x，殼層為CdS，且0＜x＜1，y＞1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有過(guò)渡層的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)，其特征在于，所述核層包括CdSe、CdSeTe、CdSTe、CdTe、PbSe、SnSe和CuInSSe中的至少一種；

優(yōu)選地，所述量子點(diǎn)包括CdSe/yCdSe_xS_1－x/CdS、CdSeTe/yCdSe_xS_1－x/CdS、CdSTe/yCdSe_xS_1－x/CdS、CdTe/yCdSe_xS_1－x/CdS、PbSe/yCdSe_xS_1－x/CdS、SnSe/yCdSe_xS_1－x/CdS和CuInSSe/yCdSe_xS_1－x/CdS中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶有過(guò)渡層的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)，其特征在于，量子點(diǎn)的過(guò)渡層層數(shù)y為2～15，優(yōu)選為3～10，進(jìn)一步優(yōu)選為4～6；

優(yōu)選地，量子點(diǎn)的粒徑為5～20nm，吸收波長(zhǎng)范圍為300～2000nm，發(fā)射波長(zhǎng)范圍為400～2200nm，半峰寬為15～150nm。

4.權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的帶有過(guò)渡層的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，包括：先制備量子點(diǎn)核層；然后通過(guò)可選的離子交換的方法，制備核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；再利用單層原子層生長(zhǎng)的方法，在高于制備所述核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)的溫度下，分別注射包含Cd離子和S/Se離子的前驅(qū)體，制備過(guò)渡層；最后利用Cd和S前驅(qū)體實(shí)現(xiàn)最外層的生長(zhǎng)，制得核層/過(guò)渡層/殼層結(jié)構(gòu)的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)；

優(yōu)選地，對(duì)于高溫下不穩(wěn)定的量子點(diǎn)，制備方法包括：先制備量子點(diǎn)核層；然后通過(guò)離子交換的方法，制備核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，殼層的厚度為0.3～1.5mm；再利用單層原子層生長(zhǎng)的方法，在高于制備所述核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)的溫度下，分別注射包含Cd離子和S/Se離子的前驅(qū)體，制備過(guò)渡層；最后利用Cd和S前驅(qū)體實(shí)現(xiàn)最外層的生長(zhǎng)，制得核層/過(guò)渡層/殼層結(jié)構(gòu)的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)；

優(yōu)選地，對(duì)于高溫下穩(wěn)定的量子點(diǎn)，制備方法包括：先制備量子點(diǎn)核層；再利用單層原子層生長(zhǎng)的方法，分別注射包含Cd離子和S/Se離子的前驅(qū)體，制備過(guò)渡層；最后利用Cd和S前驅(qū)體實(shí)現(xiàn)最外層的生長(zhǎng)，制得核層/過(guò)渡層/殼層結(jié)構(gòu)的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)。