[發(fā)明專利]具有多柵極晶體管結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810563690.X
• 申請日: 2018-06-04
• 公開（公告）號: CN109037202A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金孝真;千寬永
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/423
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

本申請公開一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括：單元區(qū)，其包括在第一方向上延伸的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)及其之間的分離區(qū)。單元區(qū)具有第一寬度。第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)布置在單元區(qū)上，所述二者在第一方向上彼此間隔開，并且在第二方向上延伸。第一金屬線和第二金屬線布置在單元區(qū)上，所述二者在第一方向上延伸，并且彼此間隔開第一間距。第一金屬線和第二金屬線中的每一個具有第二寬度。第一柵極接觸件將第一柵極結(jié)構(gòu)與第一金屬線電連接。第一柵極接觸件的至少一部分覆蓋分離區(qū)。第二柵極接觸件將第二柵極結(jié)構(gòu)與第二金屬線電連接。第二柵極接觸件的至少一部分覆蓋分離區(qū)。第一寬度除以第一間距和第二寬度之和的結(jié)果為六或更小。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2017年6月9日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2017-0072391的權(quán)益，該申請的公開內(nèi)容通過引用方式整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

對于半導(dǎo)體裝置密度增大，已提出多柵極晶體管作為縮放技術(shù)之一，根據(jù)該技術(shù)，在襯底上形成鰭形或納米線形的多溝道有源圖案(或硅體)，隨后在多溝道有源圖案的表面上形成柵極。

這種多柵極晶體管由于其使用三維溝道而允許容易的縮放。此外，可提高電流控制能力而不需要增加多柵極晶體管的柵極長度。這種結(jié)構(gòu)可有效地抑制其中溝道區(qū)的電勢受到漏極電壓的影響的短溝道效應(yīng)(SCE)。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的示例性實施例可解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。示例性實施例可提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其能夠降低在由單元區(qū)的寬度、金屬線之間的間距和金屬線的寬度之間的關(guān)系限定的單元區(qū)中，將柵極接觸件與源極/漏極接觸件分離的工藝的難度水平。

一些實施例提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：單元區(qū)，其包括在第一方向上延伸的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)以及所述第一有源區(qū)與第二有源區(qū)之間的分離區(qū)。所述單元區(qū)在垂直于第一方向的第二方向上具有第一寬度。第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)布置在所述單元區(qū)上，所述二者在第一方向上彼此間隔開，并且在第二方向上延伸。第一金屬線和第二金屬線布置在單元區(qū)上，所述二者在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此間隔開第一間距。第一金屬線和第二金屬線中的每一個在第二方向上具有第二寬度。第一柵極接觸件將第一柵極結(jié)構(gòu)與第一金屬線電連接。第一柵極接觸件的至少一部分覆蓋所述分離區(qū)。第二柵極接觸件將第二柵極結(jié)構(gòu)與第二金屬線電連接。第二柵極接觸件的至少一部分覆蓋所述分離區(qū)。第一寬度除以第一間距和第二寬度之和的結(jié)果為六或更小。

其它實施例提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：單元區(qū)，其包括第一有源區(qū)、第二有源區(qū)和所述第一有源區(qū)與第二有源區(qū)之間的分離區(qū)。多條金屬線布置在所述單元區(qū)上，所述金屬線在第一方向上延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此間隔開。柵極結(jié)構(gòu)布置為橫向于所述多條金屬線，并且在第二方向上延伸。柵極接觸件至少部分地覆蓋所述分離區(qū)，并且將所述多條金屬線中的至少一條與柵極結(jié)構(gòu)電連接。在所述第一有源區(qū)、分離區(qū)和第二有源區(qū)上在第二方向上彼此間隔開的所述多條金屬線的數(shù)量為三或四。