[發明專利]一種具有挖槽埋氧電流阻擋層的光控晶閘管

有效

• 申請號: 201810563462.2
• 申請日: 2018-06-04
• 公開（公告）號: CN108767007B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 陳萬軍;鄧操;劉超;魏東;高吳昊;左慧玲;夏云
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種具有挖槽埋氧電流阻擋層的光控晶閘管，其元胞結構包括從下至上依次層疊設置的陽極(1)、陽極P+區(2)、N漂移區(3)和P基區(4)；所述P基區(4)上層兩端分別具有N+光柵區(5)和N+陰極區(7)，在N+光柵區(5)和N+陰極區(7)之間的P基區(4)上層還具有N+放大區(6)；所述P基區(4)上表面具有光柵浮空電極(8)、放大柵浮空電極(9)和陰極(10)，所述光柵浮空電極(8)位于N+光柵區(5)靠近N+放大區(6)的一端，并沿P基區(4)上表面向N+放大區(6)方向延伸；所述放大柵浮空電極(9)位于N+放大區(6)上表面，并沿P基區(4)上表面向N+陰極區(7)方向延伸；所述陰極(10)位于N+陰極區(7)上表面，并沿P基區(4)上表面延伸至器件端部；

其特征在于，所述P基區(4)的上層還具有挖槽埋氧阻擋層(11)，所述挖槽埋氧阻擋層(11)位于放大柵浮空電極(9)和陰極(10)之間，且挖槽埋氧阻擋層(11)與陰極(10)之間的距離為0～2μm；所述挖槽埋氧阻擋層(11)用于通過阻擋橫向和縱向流過陰極左邊緣的電流流通來改變電流的流通路徑，使電流朝著陰極右側區域分散開。

2.根據權利要求1所述的一種具有挖槽埋氧電流阻擋層的光控晶閘管，其特征在于，所述挖槽埋氧阻擋層(11)沿P基區(4)上表面垂直向下延伸的深度為6～12μm，挖槽埋氧阻擋層(11)的寬度為5～50μm。