[發(fā)明專利]鐵電存儲器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810562910.7 | 申請日: | 2018-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN109037219A | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉香根 | 申請(專利權(quán))人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/11507 | 分類號: | H01L27/11507 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 王建國;李琳 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鐵電絕緣層 鐵電存儲器件 界面絕緣層 側(cè)壁表面 共用表面 襯底 晶體生長面 溝槽形成 柵電極層 垂直的 內(nèi)壁 | ||
根據(jù)實施例的鐵電存儲器件包括襯底、順序地設(shè)置在溝槽的內(nèi)壁上的界面絕緣層和鐵電絕緣層,溝槽形成于襯底中。另外,鐵電存儲器件包括設(shè)置在鐵電絕緣層上的柵電極層。設(shè)置在與溝槽的底表面具有共用表面的界面絕緣層上的部分鐵電絕緣層和設(shè)置在與溝槽的側(cè)壁表面具有共用表面的界面絕緣層上的部分鐵電絕緣層在與溝槽的底表面和側(cè)壁表面垂直的方向上分別具有晶體生長面。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2017年6月5日提交的申請?zhí)枮?0-2017-0069798的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的各種實施例總體上涉及一種半導(dǎo)體器件,并且更具體地涉及一種鐵電存儲器件。
背景技術(shù)
通常,鐵電材料是指在沒有施加外部電場的狀態(tài)下具有自發(fā)電極化的材料。更具體地說,鐵電材料可以保持兩種穩(wěn)定的剩余極化狀態(tài)中的一種。這種性質(zhì)可以用來以非易失性方式存儲信息“0”或“1”。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本公開的一個方面公開了鐵電存儲器件。該鐵電存儲器件包括襯底、順序地設(shè)置在溝槽的內(nèi)壁上的界面絕緣層和鐵電絕緣層,溝槽形成在襯底中。另外,鐵電存儲器件包括設(shè)置在鐵電絕緣層上的柵電極層。設(shè)置在與溝槽的底表面具有共用表面的界面絕緣層上的部分鐵電絕緣層和設(shè)置在與溝槽的側(cè)壁表面具有共用表面的界面絕緣層上的部分鐵電絕緣層在與底表面和側(cè)壁表面垂直的方向上分別具有晶體生長面。
根據(jù)本公開的另一方面公開了鐵電存儲器件。該鐵電存儲器件包括:襯底,其包括具有底表面和側(cè)壁表面的溝槽,其中,溝槽的底表面和側(cè)壁表面具有相同晶面族的晶面;鐵電絕緣層,其在溝槽的底表面和側(cè)壁表面上具有相同的晶體生長面;以及設(shè)置在鐵電絕緣層上的柵電極層。設(shè)置在溝槽的底表面上的部分鐵電絕緣層具有在與溝槽的底表面垂直的方向上對齊的剩余極化取向,而設(shè)置在溝槽的側(cè)壁表面上的部分鐵電絕緣層具有在與側(cè)壁表面垂直的方向上對齊的剩余極化取向。
附圖說明
圖1是示意性示出了根據(jù)本公開實施例的鐵電存儲器件的橫截面圖。
圖2是圖1的鐵電存儲器件的一部分的放大圖。
圖3A和圖3B是示出了根據(jù)本公開實施例的鐵電存儲器件中的鐵電絕緣層的極化取向的示圖。
圖4A至4C是示意性示出了根據(jù)本公開實施例的鐵電存儲器件的示圖。
圖5至圖9是示意性示出了根據(jù)本公開實施例的鐵電存儲器件的制造方法的示圖。
圖10至圖14是示意性示出了根據(jù)本公開實施例的鐵電存儲器件的制造方法的截面圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將參考附圖在下文中描述各種實施例。在附圖中,為了說明清楚起見,層和區(qū)域的尺寸可能被夸大。考慮到觀察者的視角來描述附圖。如果一個元件被稱為位于另一個元件上,則可以理解的是,該元件直接位于另一個元件上,或者附加元件可以插置在該元件和另一個元件之間。整個說明書中相同的附圖標記指代相同的元件。
此外,單詞的單數(shù)形式的表達應(yīng)該被理解為包括該單詞的復(fù)數(shù)形式,除非在上下文中另外清楚地使用。將理解的是,術(shù)語“包括”或“具有”旨在指定特征、數(shù)量、步驟、操作、元件、部分或其組合的存在,但不用于排除存在或添加一個或多個其它特征、數(shù)量、步驟、操作、組件、部件或其組合的可能性。此外,在執(zhí)行方法或制造方法時,構(gòu)成該方法的每個過程可以發(fā)生得與規(guī)定順序不同,除非在上下文中明確描述了特定的順序。換言之,每個過程可以以與所述順序相同的方式執(zhí)行,可以基本同時執(zhí)行,或者可以以相反的順序執(zhí)行。
圖1是示意性示出了根據(jù)本公開實施例的鐵電存儲器件1的橫截面圖。圖2是圖1的鐵電存儲器件1的一部分的放大圖。根據(jù)該實施例的鐵電存儲器件1可以是具有埋入溝槽中的柵極結(jié)構(gòu)的晶體管型存儲器件。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





