[發明專利]用于顯示裝置的圖案結構有效
| 申請號: | 201810562171.1 | 申請日: | 2018-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN108987414B | 公開(公告)日: | 2023-08-29 |
| 發明(設計)人: | 孫世完;金貞和;安珍星;李旺宇;李知嬗;高武恂 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/65;H10K59/12;H10K71/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 陳宇;張逍遙 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 顯示裝置 圖案 結構 | ||
1.一種用于顯示裝置的圖案結構,所述圖案結構包括:
基底;
突起圖案,設置在所述基底上;
第一導電圖案,覆蓋所述突起圖案的上表面;
層間絕緣層,設置在所述第一導電圖案上,并包括接觸孔;以及
第二導電圖案,設置在所述層間絕緣層上,并通過所述接觸孔連接到所述第一導電圖案,
其中,所述接觸孔與所述突起圖案和所述第一導電圖案疊置,
其中,從所述基底的上表面到所述第一導電圖案的上表面的中心部分的距離大于從所述基底的所述上表面到所述第一導電圖案的所述上表面的邊緣部分的距離。
2.根據權利要求1所述的圖案結構,其中,
所述層間絕緣層直接設置在所述第一導電圖案上。
3.根據權利要求1所述的圖案結構,所述圖案結構還包括:
第一有機絕緣層和第一阻擋層,設置在所述基底與所述突起圖案之間。
4.根據權利要求3所述的圖案結構,所述圖案結構還包括:
第二有機絕緣層和第二阻擋層,設置在所述基底與所述突起圖案之間。
5.根據權利要求1所述的圖案結構,所述圖案結構還包括:
第一有機絕緣層,設置在所述基底與所述突起圖案之間,并且
所述突起圖案與所述第一有機絕緣層一體地制成。
6.根據權利要求1所述的圖案結構,所述圖案結構還包括:
緩沖層,設置在所述突起圖案與所述第一導電圖案之間,并且
所述突起圖案由有機絕緣材料制成。
7.根據權利要求1所述的圖案結構,其中,
從所述基底的所述上表面到所述第一導電圖案的所述上表面的最大距離大于從所述基底的所述上表面到所述層間絕緣層的上表面的最大距離。
8.根據權利要求1所述的圖案結構,其中,
所述突起圖案由無機絕緣材料制成,并且所述突起圖案與所述第一導電圖案接觸。
9.根據權利要求1所述的圖案結構,其中,
所述突起圖案由金屬制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





