[發(fā)明專利]器件芯片的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810562014.0 | 申請日: | 2018-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN109003942A | 公開(公告)日: | 2018-12-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 立石俊幸;田渕智隆 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 器件芯片 晶片 制造 背面 間隔道 金屬膜 分割 芯片 金屬膜形成 芯片飛散 剝離 損傷 | ||
提供器件芯片的制造方法,在制造在正面上形成有器件且在背面上形成有膜的器件芯片的情況下,確保不產(chǎn)生膜從芯片的剝離、芯片飛散、或由于芯片彼此的接觸所導(dǎo)致的損傷等。該器件芯片的制造方法是在正面(Wa)上形成有器件(D)且在背面(Wb)上形成有金屬膜的器件芯片的制造方法,其中,該器件芯片的制造方法具有如下的步驟:晶片準(zhǔn)備步驟,準(zhǔn)備在正面(Wa)的由交叉的多條間隔道(S)劃分的各區(qū)域中分別形成有器件(D)的晶片(W);分割步驟,沿著間隔道(S)將晶片(W)分割成各個器件芯片;以及金屬膜形成步驟,在已被分割成各個器件芯片的晶片(W)的背面(Wb)上形成金屬膜(J)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在正面上形成有器件且在背面上形成有膜的器件芯片的制造方法。
背景技術(shù)
存在如下的器件芯片:在背面上形成有成為電極的金屬層的器件芯片、為了提高芯片的強度而在背面上形成有樹脂層的器件芯片、或在背面上粘貼有樹脂膜來作為芯片貼裝用的結(jié)合材料的器件芯片。要想制造這些器件芯片,在晶片的狀態(tài)下在背面上形成金屬膜或樹脂膜、或者在背面上粘貼樹脂膜,然后對在背面上形成有該膜等的晶片進行分割。但是,將層疊有不同材質(zhì)的晶片斷開比較困難,當(dāng)利用切削刀具對具有樹脂等特別是有延展性的膜的晶片進行切削時,在切削刀具產(chǎn)生由于膜所導(dǎo)致的堵塞,在膜上產(chǎn)生飛邊。
近年來,隨著器件芯片的小型化,采用使用了等離子蝕刻裝置(例如參照專利文獻1)的等離子切割來提高晶片分割時的生產(chǎn)率。但是,憑借基于蝕刻氣體的等離子切割無法將上述各種膜斷開。因此,例如在晶片分割后噴射干冰將上述膜斷開等而進行應(yīng)對(例如參照專利文獻2)。
專利文獻1:日本特開2015-037110號公報
專利文獻2:日本特開2016-096266號公報
但是,如上述專利文獻2所記載的那樣憑借干冰的噴射難以將膜完全斷開,也有可能在膜上產(chǎn)生未分割區(qū)域。通過提高干冰的噴射壓力,能夠抑制未分割區(qū)域的產(chǎn)生,但由于高壓的干冰的噴射,有時膜會從芯片剝離、產(chǎn)生芯片飛散、芯片發(fā)生移動而使相鄰的芯片彼此接觸而損傷。
由此,存在下述課題:在制造在正面上形成有器件且在背面上形成有膜的器件芯片的情況下,確保不產(chǎn)生膜從芯片的剝離、芯片飛散、或由于芯片彼此的接觸所導(dǎo)致的損傷等。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供在正面上形成有器件且在背面上形成有膜的器件芯片的制造方法。
用于解決上述課題的本發(fā)明是器件芯片的制造方法,該器件芯片在正面上形成有器件且在背面上形成有金屬膜,其中,該器件芯片的制造方法具有如下的步驟:晶片準(zhǔn)備步驟,準(zhǔn)備在正面的由交叉的多條間隔道劃分的各區(qū)域中分別形成有器件的晶片;分割步驟,沿著該間隔道將該晶片分割成各個器件芯片;以及金屬膜形成步驟,在已被分割成各個該器件芯片的該晶片的背面上形成該金屬膜。
優(yōu)選在所述分割步驟中,從背面?zhèn)葘⑺鼍』烈?guī)定的厚度,沿著所述間隔道將已薄化的該晶片分割成各個器件芯片。
優(yōu)選在所述分割步驟中,從所述晶片的正面沿著所述間隔道形成深度達到規(guī)定的完工厚度的槽,通過在形成有該槽的晶片的正面上配設(shè)保護部件,并在利用保持單元對該保護部件側(cè)進行了保持的狀態(tài)下從背面?zhèn)葘⒃摼』猎撏旯ず穸龋瑥亩鴮⒃摼指畛筛鱾€所述器件芯片。
優(yōu)選在所述分割步驟中,通過在將對于所述晶片具有透過性的波長的激光束的聚光點定位于該晶片的內(nèi)部的狀態(tài)下,沿著所述間隔道照射該激光束,從而形成沿著該間隔道的改質(zhì)層,通過從背面?zhèn)葘π纬捎性摳馁|(zhì)層的晶片進行磨削而使該晶片薄化,從而將該晶片分割成各個所述器件芯片。
本發(fā)明的器件芯片的制造方法實施分割步驟,沿著間隔道將晶片分割成各個器件芯片,然后實施金屬膜形成步驟,在已被分割成各個器件芯片的晶片的背面上形成金屬膜,因此能夠不產(chǎn)生膜從芯片的剝離、芯片飛散、或由于芯片彼此的接觸所導(dǎo)致的損傷等而制造在正面上形成有器件且在背面上形成有膜的器件芯片。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





