[發明專利]電壓轉換電路及其控制電路有效
| 申請號: | 201810561436.6 | 申請日: | 2018-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN110364992B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 李敬贊;吳克偉;簡銘宏 | 申請(專利權)人: | 杰力科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H02H7/12 | 分類號: | H02H7/12;H02M1/08 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 轉換 電路 及其 控制電路 | ||
1.一種控制電路,用以控制驅動開關,所述驅動開關的兩端分別接收輸入電壓以及輸出電壓,其特征在于,所述控制電路包括:
電壓狀態比較器,接收所述輸入電壓以及所述輸出電壓,提供基準電壓,依據所述輸入電壓的電壓狀態,使所述輸出電壓的電壓值與所述輸入電壓或所述基準電壓的電壓值進行比較以產生比較結果,并依據所述比較結果產生偏壓電壓;以及
控制信號產生器,耦接所述電壓狀態比較器,依據所述偏壓電壓以產生控制信號,并傳送所述控制信號至所述驅動開關的控制端,
其中,所述驅動開關依據所述控制信號以被導通或被斷開。
2.根據權利要求1所述的控制電路,其特征在于,當所述輸出電壓的電壓值大于所述輸入電壓的電壓值時,所述電壓狀態比較器產生第一電流,并依據所述第一電流以產生所述偏壓電壓。
3.根據權利要求1所述的控制電路,其特征在于,當所述輸入電壓為高阻抗狀態,所述電壓狀態比較器比較所述輸出電壓的電壓值以及所述基準電壓的電壓值,并在當所述輸出電壓的電壓值大于所述基準電壓的電壓值時,所述電壓狀態比較器產生第一電流,并依據所述第一電流以產生所述偏壓電壓。
4.根據權利要求2所述的控制電路,其特征在于,所述電壓狀態比較器包括:
第一晶體管,其第一端接收所述輸出電壓,所述第一晶體管的控制端接收所述輸入電壓,所述第一晶體管的第二端用以產生所述第一電流;以及
至少一二極管,串聯耦接在所述第一晶體管的第二端以及參考電位間,用以接收所述第一電流以產生所述偏壓電壓,
其中,所述至少一二極管提供所述基準電壓。
5.根據權利要求4所述的控制電路,其特征在于,所述至少一二極管為基納二極管,所述基納二極管的陽極接收所述參考電位,所述基納二極管的陰極耦接所述第一晶體管的第二端,所述基納二極管的崩潰電壓等于所述基準電壓。
6.根據權利要求4所述的控制電路,其特征在于,所述至少一二極管包括至少一第二晶體管,所述至少一第二晶體管耦接為二極管組態,且所述至少一二極管的陽極耦接至所述第一晶體管的第二端,所述至少一二極管的陰極耦接所述參考電位。
7.根據權利要求4所述的控制電路,其特征在于,所述電壓狀態比較器還包括:
第一電阻,耦接在所述第一晶體管的第一端與所述輸出電壓間;以及
第二電阻,耦接在所述第一晶體管的控制端與所述輸入電壓間。
8.根據權利要求4所述的控制電路,其特征在于,所述控制信號產生器包括:
第一晶體管,其第一端接收所述輸出電壓,所述第一晶體管的控制端接收所述偏壓電壓,所述第一晶體管的第二端產生第一信號;
電流源,耦接至所述第一晶體管的第二端,由所述第一晶體管汲取參考電流;
第二晶體管,其第一端耦接至所述電流源并產生第二信號,所述第二晶體管的第二端耦接至所述參考電位,所述第二晶體管的控制端接收參考偏壓;以及
下拉電路,接收所述第一信號以及所述第二信號,并產生所述控制信號,所述下拉電路并依據所述第一信號以及所述第二信號以下拉所述控制信號的電壓電平。
9.根據權利要求8所述的控制電路,其特征在于,所述電流源包括:
第三晶體管,耦接在所述第一晶體管的第二端以及所述第二晶體管的第一端間,所述第三晶體管的控制端接收所述參考電位。
10.根據權利要求8所述的控制電路,其特征在于,所述下拉電路包括:
選擇器,接收所述第一信號以及所述第二信號,依據所述第二信號以選擇所述第一信號或所述參考電位以產生第三信號;以及
第三晶體管,其第一端產生所述控制信號,所述第三晶體管的第二端接收所述參考電位,所述第三晶體管的控制端接收所述第三信號。
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