[發明專利]一種等離子蝕刻的噴頭異常監測系統及方法有效
| 申請號: | 201810561065.1 | 申請日: | 2018-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN108520852B | 公開(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發明(設計)人: | 請求不公布姓名 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王華英 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 等離子 蝕刻 噴頭 異常 監測 系統 方法 | ||
1.一種等離子蝕刻的噴頭異常監測方法,其特征在于,包括:將監控片固定于等離子體刻蝕機的下電極組件上,并確定所述監控片上的復數個監測點的位置;確定所述監控片上的復數個所述監測點的位置的步驟包括將所述監控片劃分為若干分區及在每個分區分別設置若干的所述監測點;
經噴頭流出聚合物反應測試的沉積氣體,所述沉積氣體沉積在所述監控片上,以形成聚合物;
分別獲得所述監控片中各所述監測點處的所述聚合物的厚度,并將所述聚合物的厚度數據上傳到控制中心,根據所述聚合物的厚度數據來判斷是否達到停機條件;
當達到停機條件,所述控制中心控制所述等離子體刻蝕機即時停機;
其中,判斷是否達到停機條件步驟包括:分別計算每個分區中所有所述監測點的所述聚合物的平均厚度,與對應分區的標準參考值進行比較,以此來判斷各分區的所述聚合物的沉積是否出現異常;根據所述聚合物的沉積出現異常的分區的個數來判定是否達到停機條件。
2.根據權利要求1所述的噴頭異常監測方法,其特征在于,獲得所述監控片中各所述監測點位置的所述聚合物的厚度的步驟包括:
所述聚合物形成之前,使用膜厚量測機測量所述監控片中各所述監測點處的所述監控片的厚度,并將各所述監測點處的位置信息和厚度數據上傳到所述控制中心,作為前值;
所述聚合物形成之后,使用所述膜厚量測機測量所述監控片中各監測點處的所述監控片和所述聚合物的總厚度,并將各所述監測點處的位置信息和厚度數據上傳到所述控制中心,作為后值;
使用所述后值中的厚度數據減去所述前值中的厚度數據,以獲得所述監控片中各所述監測點位置的所述聚合物的厚度。
3.根據權利要求2所述的噴頭異常監測方法,其特征在于,各所述監測點的所述前值和所述后值中的厚度數據的可靠性均由所述膜厚量測機自動給出并上傳至所述控制中心,以此來判斷所述前值和所述后值中的厚度數據是否能作為參考依據。
4.根據權利要求3所述的噴頭異常監測方法,其特征在于,各所述監測點所述前值和所述后值中的厚度數據的可靠性不低于90%。
5.根據權利要求1所述的噴頭異常監測方法,其特征在于,確定所述監控片上的復數個所述監測點的位置的步驟包括:
以所述監控片中心為圓心,將所述監控片劃分為多個分區,從圓心到圓周沿半徑方向依次至少包括第一分區、第二分區及第三分區,其中,所述第一分區的形狀為圓形區,所述第二分區和所述第三分區的形狀為圓環區;
在每個分區內分別設置若干所述監測點。
6.根據權利要求5所述的噴頭異常監測方法,其特征在于,所述第一分區包括3個或3個以上的所述監測點,均勻分布在所述第一分區內,所述第一分區內所述監測點到所述圓心的距離相等;所述第二分區及在所述第二分區外圍的其他分區均包括3個或3個以上的所述監測點,每個圓環形分區中的所述監測點均勻分布在所屬分區對應的圓環區內并到所述圓心的距離相等。
7.根據權利要求1所述的噴頭異常監測方法,其特征在于,確定所述監控片上的多個所述監測點的位置的步驟包括:
將所述監控片等分為多個相等的扇區;
在每個扇區上沿其對稱軸徑向設置若干監測點。
8.根據權利要求7所述的噴頭異常監測方法,其特征在于,任意一個扇區都設置有3個或3個以上的所述監測點,分布在所述扇區對稱軸所在的半徑上,位于圓心處的一個所述監測點為各扇區的共用監測點。
9.根據權利要求1所述的噴頭異常監測方法,其特征在于,所述標準參考值的獲取步驟包括:
在產品良率正常的情況下,獲得相同工藝條件下若干所述監控片中每個分區的所述聚合物的平均厚度;
通過統計獲得所述標準參考值的取值范圍。
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