[發明專利]一種形成集成磁性器件的磁芯的方法

在審

• 申請號: 201810561056.2
• 申請日: 2018-06-04
• 公開（公告）號: CN109036765A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: F·王;Y·張;N·T·莫菲;B·津恩;J·P·戴維斯
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01F10/08
• 分類號: H01F10/08;H01F41/14;H01F41/32
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙志剛;趙蓉民

1.一種集成磁性器件，包括：

襯底；

溝槽結構，其鄰近所述襯底；

磁芯，其在所述溝槽結構中，在所述溝槽結構的開口下方；以及

上部介電層，其放置在所述磁芯上方。

2.根據權利要求1所述的集成磁性器件，包括：在所述襯底上方的芯介電層，所述溝槽結構定位于所述芯介電層中，所述溝槽結構具有側面和底部。

3.根據權利要求1所述的集成磁性器件，其中：

所述磁芯包括平坦且平行于所述溝槽結構的底部的磁性材料層；以及

所述磁性材料層包括從由鐵、鎳和鈷組成的組中選擇的金屬。

4.根據權利要求3所述的集成磁性器件，其中所述磁芯包括與所述磁性材料層交替的阻擋層。

5.根據權利要求1所述的集成磁性器件，還包括在所述磁芯之下的所述溝槽結構中的下部封裝層。

6.根據權利要求5所述的集成磁性器件，其中所述下部封裝層包括從由鈦、氮化鈦、鉭和氮化鉭組成的組中選擇的材料。

7.根據權利要求1所述的集成磁性器件，還包括在所述磁芯之下的所述溝槽結構中的上部封裝層。

8.根據權利要求7所述的集成磁性器件，其中所述上部封裝層包括從由鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭和鈀組成的組中選擇的材料。

9.根據權利要求1所述的集成磁性器件，其中：

所述溝槽結構為第一溝槽結構，并且還包括鄰近所述襯底的第二溝槽結構；以及

所述磁芯也定位于所述第二溝槽結構中，在所述第二溝槽結構的開口下方。

10.一種方法，包括：

提供襯底；

形成鄰近所述襯底的溝槽結構；

在所述溝槽結構中形成磁芯并延伸通過所述溝槽結構的開口；

從所述溝槽結構的外部區域移除所述磁芯；以及

沿著所述溝槽的側面移除所述磁芯，沿著所述溝槽的底部留下所述磁芯。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述溝槽結構形成于芯介電層中。

12.根據權利要求10所述的方法，其中：

形成所述磁芯包括形成磁性材料層；以及

所述磁性材料層包括從由鐵、鎳和鈷組成的組中選擇的金屬。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括形成阻擋層，使得所述阻擋層與所述磁性材料層交替。

14.根據權利要求10所述的方法，還包括在從所述溝槽結構的外部區域移除所述磁芯之前，在所述磁芯上方形成保護涂層。

15.根據權利要求10所述的方法，其中從所述溝槽結構的外部區域移除所述磁芯包括化學機械拋光過程即CMP過程。

16.根據權利要求10所述的方法，其中沿著所述溝槽結構的側面移除所述磁芯包括濕法刻蝕過程。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述濕法刻蝕過程包括含有硝酸的水溶液。

18.根據權利要求10所述的方法，還包括在形成所述磁芯之前，在所述溝槽結構中形成下部封裝層。

19.根據權利要求10所述的方法，還包括在所述磁芯上方的所述溝槽結構中形成上部封裝層。

20.根據權利要求10所述的方法，還包括在從所述溝槽結構的外部區域移除所述磁芯之后，在所述磁芯上方的所述溝槽結構中形成溝槽填充材料層。