[發明專利]一種硅基薄膜太陽能電池用陷光透明導電玻璃在審
| 申請號： | 201810560528.2 | 申請日： | 2018-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN108767020A | 公開（公告）日： | 2018-11-06 |
| 發明（設計）人： | 彭壽;姚婷婷;楊勇;李剛;金克武;湯永康;王天齊;彭塞奧;沈洪雪;甘治平;馬立云 | 申請（專利權）人： | 中建材蚌埠玻璃工業設計研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/02 | 分類號： | H01L31/02;H01L31/054;C03C17/36 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113 | 代理人： | 陳俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅基薄膜太陽能電池 透明導電玻璃 陷光 薄膜 玻璃基底表面 導電玻璃 電學性能 陷光功能 依次層疊 玻璃基 透過率 霧度 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅基薄膜太陽能電池用陷光透明導電玻璃，其特征在于，包括玻璃基底，玻璃基底表面由下至上依次層疊有第一AZO薄膜、第二AZO薄膜、Ag薄膜與第三AZO薄膜；
所述玻璃基底為表面羥基化的硅酸鹽玻璃；
所述第一AZO薄膜的厚度為100～120nm，第一AZO薄膜中Al2O3的含量為0.36～1.21at%；
所述第二AZO薄膜的厚度為100～120nm，第二AZO薄膜中Al2O3的含量為1.20～2.16at%；
所述Ag薄膜的厚度為20nm；
所述第三AZO薄膜的厚度為400～450nm，第三AZO薄膜中Al2O3的含量為2.16～3.01at%。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
