[發明專利]一種薄膜太陽能電池用陷光玻璃的制備方法

在審

• 申請號: 201810560496.6
• 申請日: 2018-06-04
• 公開（公告）號: CN108640532A
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 彭壽;姚婷婷;沈洪雪;李剛;楊勇;金克武;王天齊;湯永康;甘治平;馬立云
• 申請（專利權）人: 中建材蚌埠玻璃工業設計研究院有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36;H01L31/0236
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113
• 代理人: 陳俊

本發明公開一種薄膜太陽能電池用陷光玻璃的制備方法，包括以下步驟：S1、將玻璃基底浸入食人魚溶液，清潔玻璃基底；S2、將玻璃基底置于磁控濺射腔室內，采用Ar離子束轟擊玻璃基底表面進一步清潔玻璃基底；S3、采用Al摻雜濃度為0.5～1.5 wt%的AZO靶作為靶材，以射頻直流耦合濺射工藝，濺射生長第一AZO薄膜；S4、采用Al摻雜濃度為1.5～2.5 wt%的AZO靶作為靶材，以射頻直流耦合濺射工藝濺射生長第二AZO薄膜；S5、采用Ag靶材，以射頻直流耦合濺射工藝濺射生長Ag薄膜；S6、采用Al摻雜濃度為2.5～3.5 wt%的AZO靶作為靶材，以射頻直流耦合濺射工藝濺射生長第三AZO薄膜；本方法能提高陷光玻璃的霧度及電學性能，獲得透過率高且具有陷光功能的AZO透明導電玻璃。

技術領域

本發明涉及玻璃制造領域，具體是一種薄膜太陽能電池用陷光玻璃的制備方法。

背景技術

近年來，氧化鋅(ZnO)基的透明導電薄膜吸引了很多的注意力。典型的用途包括，柔性電子產品、硅基薄膜太陽能電池、平板顯示等。提高ZnO導電性的摻雜元素有許多，但摻鋁的是最有前途的之一。

AZO薄膜是一種透明導電薄膜，在適當的摻雜濃度下，表現出良好的透明導電特性，但目前僅僅采用一種摻雜濃度的靶材來制備得到的AZO單層膜，并且需要加熱才能制備出較好光電性能的AZO薄膜，影響薄膜的性能。

發明內容

本發明的目的在于提供一種薄膜太陽能電池用陷光玻璃的制備方法，該方法能夠提高薄膜太陽能電池用陷光玻璃的霧度及電學性能，獲得透過率高且具有陷光功能的AZO透明導電玻璃。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種薄膜太陽能電池用陷光玻璃的制備方法，包括以下步驟：

S1、將玻璃基底浸入食人魚溶液，清潔玻璃基底，同時使玻璃基底表面羥基化；

S2、將玻璃基底置于磁控濺射腔室內，采用Ar離子束轟擊玻璃基底表面進一步清潔玻璃基底；

S3、采用Al摻雜濃度為0.5～1.5 wt %的AZO靶作為靶材，以射頻直流耦合濺射工藝，在玻璃基底表面濺射生長第一AZO薄膜；

S4、采用Al摻雜濃度為1.5～2.5 wt %的AZO靶作為靶材，以射頻直流耦合濺射工藝，在第一AZO薄膜表面濺射生長第二AZO薄膜；

S5、采用Ag靶材，以射頻直流耦合濺射工藝，在第二AZO薄膜表面濺射生長Ag薄膜；

S6、采用Al摻雜濃度為2.5～3.5 wt %的AZO靶作為靶材，以射頻直流耦合濺射工藝，Ag薄膜表面濺射生長第三AZO薄膜。

進一步的，所述步驟S3直流濺射功率20～40W，射頻濺射功率160～200W, 工作壓強0.3Pa。

進一步的，所述步驟S3第一AZO薄膜的厚度為100～130nm。

進一步的，所述步驟S4直流濺射功率20～40W，射頻濺射功率180～220W, 工作壓強0.3Pa。

進一步的，所述步驟S4第二AZO薄膜的厚度為100～130nm。

進一步的，所述步驟S5直流濺射功率20W，射頻濺射功率120W, 工作壓強0.5Pa。

進一步的，所述步驟S5中Ag薄膜的厚度為20nm。

進一步的，所述步驟S6直流濺射功率20～40W，射頻濺射功率200～240W, 工作壓強0.3Pa。

進一步的，所述步驟S6第三AZO薄膜的厚度為400～450nm。

本發明的有益效果是：