[發(fā)明專利]半導體器件及制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810559316.2
• 申請日: 2018-06-01
• 公開（公告）號: CN110556422B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發(fā)明（設計）人: 裴風麗
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州捷芯威半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 魏彥

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

襯底；

設置于所述襯底上的半導體層；

設置在所述半導體層上的源極、柵極和漏極，其中所述源極和漏極與所述半導體層歐姆接觸；

設置在所述柵極與所述漏極之間，及所述柵極與所述源極之間的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層位于所述半導體層之上；

設置在所述柵極與半導體層及所述柵極與介質(zhì)層之間的隔離層；

所述柵極的金屬為Ni、Ni與其他金屬的組合中的一種；

所述柵極為肖特基柵時，所述隔離層由半導體或金屬組成；

當隔離層為金屬時，其功函數(shù)比半導體層的功函數(shù)大；

當隔離層為半導體時，所述隔離層的禁帶寬度和與所述隔離層接觸的半導體層的禁帶寬度相當或禁帶寬度差值大于預設差值；

所述隔離層的厚度不小于5nm，不大于所述柵極長度的1/10；

所述介質(zhì)層包括一用于容置所述柵極的凹槽，所述隔離層至少將所述凹槽的內(nèi)壁覆蓋，所述柵極部分覆蓋在所述隔離層上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述隔離層為單層或多層結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述凹槽的截面形狀包括長方形、梯形、弧形其中之一或之間的組合。

4.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底的表面形成半導體層；

在所述半導體層遠離所述襯底的表面形成介質(zhì)層；

在所述半導體層遠離所述襯底的表面形成與所述半導體層歐姆接觸的源極和漏極；

對所述介質(zhì)層進行處理形成一凹槽；

沉積預設厚度的隔離層用于覆蓋所述凹槽；

在所述凹槽中形成柵極；

所述柵極的金屬為Ni、Ni與其他金屬的組合中的一種；

所述柵極為肖特基柵時，所述隔離層由半導體或金屬組成；

當隔離層為金屬時，其功函數(shù)比半導體層的功函數(shù)大；當隔離層為半導體時，所述隔離層的禁帶寬度和與所述隔離層接觸的半導體層的禁帶寬度相當或禁帶寬度差值大于預設差值；

所述隔離層的厚度不小于5nm，不大于所述柵極長度的1/10；

所述介質(zhì)層包括一用于容置所述柵極的凹槽，所述隔離層至少將所述凹槽的內(nèi)壁覆蓋，所述柵極部分覆蓋在所述隔離層上。

5.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述半導體層遠離所述襯底的表面形成介質(zhì)層的過程中，采用金屬有機化合物化學氣相沉淀或分子束外延進行原位生成所述介質(zhì)層，或采用低壓力化學氣相沉積法、原子層沉積法或等離子體增強化學氣相沉積法中的至少一種方法生成所述介質(zhì)層。