[發明專利]窄的有源單元IE型溝槽柵極IGBT及其制造方法

有效

• 申請號: 201810558919.0
• 申請日: 2013-06-09
• 公開（公告）號: CN108933170B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 松浦仁
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

本發明的實施例涉及窄的有源單元IE型溝槽柵極IGBT及其制造方法。在等寬有源單元IE型IGBT、寬有源單元IE型IGBT等中，有源單元區域在溝槽寬度方面等于無源單元區域，或者無源單元區域的溝槽寬度更窄。因此，相對易于確保擊穿電壓。然而，采用該結構，試圖增強IE效應引起諸如結構復雜化之類的問題。本發明提供了一種窄的有源單元IE型IGBT，具有有源單元二維薄化結構，并且不具有用于接觸的襯底溝槽。

本申請是于2013年6月9日提交的申請號為201310240332.2、名稱為“窄的有源單元IE型溝槽柵極IGBT及其制造方法”的中國發明專利申請的分案申請。

相關申請的交叉引用

于2012年6月11日提交的日本專利申請No.2012-131915的包括說明書、附圖和摘要的公開內容在此通過引用整體并入本文。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件(或半導體集成電路器件)，以及一種制造半導體器件(或半導體集成電路器件)的方法。更具體而言，本發明涉及一種可有效應用于IGBT器件技術的技術以及用于制造IGBT的方法。

背景技術

日本未審查專利公開Hei 11(1999)-345969(專利文獻1)涉及一種具有等距溝槽的等寬有源單元IE(注入增強)型IGBT(集成柵極雙極晶體管)。該文獻在文中公開了一種器件結構，其中P+本體接觸區域最終將N+型發射極區域沿著縱向劃分(所謂“有源單元二維薄化結構”)。

日本未審查專利公開案號2005-294649(專利文獻2)涉及一種寬有源單元IE型IGBT，其中有源單元區域中的溝槽間隔大于無源單元區域中的溝槽間隔。該文獻在文中公開了一種在無源區域下方的相對側面上設置延伸至溝槽底端的浮置P型區域的技術。順帶提及，在該文獻中，在溝槽形成之后，與P型本體區域同時引入浮置P型本體區域。

專利文獻

[專利文獻1]日本未審查專利公開案號Hei 11(1999)-345969

[專利文獻2]日本未審查專利公開案號2005-294549

發明內容

在等寬有源單元IE型IGBT、寬的有源單元IE型IGBT等等中，有源單元區域與無源區域中的溝槽寬度彼此相等，或者無源單元區域中的溝槽寬度稍窄。因此，可以相對容易地確保擊穿電壓。然而，采用這種結構，試圖增強IE效應不期望地進一步使得結構復雜，并且引起其他問題。

以下將描述用于解決這種問題的裝置等等。由該說明書以及附圖將明晰其他問題和新穎特征。

以下將簡述本發明中公開的一個代表性本發明的發明內容。

也即，本發明的一個實施例的發明內容是具有有源單元二維薄化結構的窄的有源單元IE型IGBT，并且其中在垂直于襯底表面的截面中并未設置穿過發射區域并且垂直于相對側上的溝槽的本體接觸區域。

以下將簡述由本發明中公開的一個代表性實施例所獲得的效果。

也即，根據本發明的一個實施例，可以增強IE效應但是避免使器件結構過度復雜。

附圖說明

圖1是窄的有源單元IE型溝槽柵極IGBT器件芯片的單元區域及其外圍的頂部示意布局圖，以用于示出本發明主要實施例(包括修改示例)的窄的有源單元IE型溝槽柵極中的器件結構的外形；

圖2是對應于圖1的單元區域端部切斷(cut-out)區域R1的A-A'截面的器件示意性剖視圖；

圖3是對應于圖1的單元區域內部切斷區域R2的B-B'截面的器件示意性剖視圖；

圖4是根據本發明一個實施例的圖1的線性裝置單元區域及其外圍R5的放大頂視圖；