[發(fā)明專利]一種聚合物基介電材料的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810557675.4
• 申請(qǐng)日: 2018-06-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108748942A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李海濤;錢葉球;邢武裝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蕪湖市億侖電子有限公司
• 主分類號(hào): B29C47/06
• 分類號(hào): B29C47/06;B29C47/92;C08L27/16;C08K9/12;C08K3/08;C08K3/22;B29L9/00;B29L7/00
• 代理公司: 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 楊紅梅

1.一種聚合物基介電材料的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：

1)填料預(yù)處理：將納米陶瓷粒子與表面活性劑置于高速球磨機(jī)中，進(jìn)行球磨預(yù)處理8-15min，得預(yù)處理納米陶瓷粒子；

2)復(fù)合填料制備：采用超聲輔助磁控濺射方法，將金屬Ag負(fù)載在預(yù)處理納米陶瓷粒子表面，得復(fù)合填料；

3)聚合物基介電材料的制備：將復(fù)合填料與聚偏氟乙烯在70-80℃下真空干燥70-80min，干燥后將復(fù)合填料與聚偏氟乙烯進(jìn)行擠壓熔融預(yù)混，最后將預(yù)混料和聚偏氟乙烯進(jìn)行交替多層共擠擠出，得聚合物基介電材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物基介電材料的制備方法，其特征在于，所述納米陶瓷粒子為鈦酸銅鈣、鈦酸鋇或二氧化鈦中任一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物基介電材料的制備方法，其特征在于，所述表面活性劑為非離子表面活性劑，添加方法采用霧化噴灑的方法，添加量為納米陶瓷粒子質(zhì)量的1-1.5％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物基介電材料的制備方法，其特征在于，所述球磨的轉(zhuǎn)速為5000-6000r/min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物基介電材料的制備方法，其特征在于，所述超聲的功率為1500-2000w,頻率為10-15KHz。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物基介電材料的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射的條件為真空度為7×10^-4-9×10^-4Pa，工作氣體為99.99％的氬氣，氣體流量為10-20mL/min，工作壓強(qiáng)為0.4-0.8Pa，濺射功率為30-50w，濺射時(shí)間為100-120s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物基介電材料的制備方法，其特征在于，所述多層共擠擠出的條件為，一段溫度為180-190℃，二段溫度為190-210℃，三段、口模和層疊器的溫度為200-220℃，螺桿轉(zhuǎn)速為65-80r/min，擠出壓力為0.4-0.8MPa。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物基介電材料的制備方法，其特征在于，所述聚合物基介電材料中復(fù)合填料與聚偏氟乙烯的質(zhì)量比為0.15-0.25:1。