[發明專利]一種小型化超寬帶3dB定向耦合器

在審

• 申請號: 201810556434.8
• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN108767410A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 戴永勝;陳相治;孫超;楊茂雅
• 申請（專利權）人: 深圳市永盛微波技術有限公司
• 主分類號: H01P5/18
• 分類號: H01P5/18
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

1.一種小型化超寬帶3dB定向耦合器，其特征在于：包括耦合器、端口P1、端口P2、端口P3、端口P4、側印地GND1、側印地GND2、接地屏蔽層G1和接地屏蔽層G3，耦合器的左邊從前至后依次間隔設有端口P3和端口P1，耦合器的右邊從前至后依次間隔設有端口P4和端口P2，耦合器的前面設有側印地GND2，耦合器的后面設有側印地GND1，耦合器的下面設有接地屏蔽層G3，耦合器的上面設有接地屏蔽層G1；

耦合器包括接地屏蔽層G2、連接引線Lin1、連接引線Lin2、連接引線Lin3、連接引線Lin4、折疊寬邊耦合線L1、折疊寬邊耦合線L2、折疊寬邊耦合線L3、折疊寬邊耦合線L4、折疊寬邊耦合線L5、折疊寬邊耦合線L6、連接柱H1、連接柱H2、連接柱H3、連接柱H4、連接柱H5、連接柱H6、連接柱H7、連接柱H8、連接柱H9和連接柱H10，所述折疊寬邊耦合線L1、折疊寬邊耦合線L2、折疊寬邊耦合線L3、折疊寬邊耦合線L4、折疊寬邊耦合線L5和折疊寬邊耦合線L6均呈“S”形走線；

折疊寬邊耦合線L1、折疊寬邊耦合線L2、折疊寬邊耦合線L3、折疊寬邊耦合線L4和折疊寬邊耦合線L5為從左至右依次設置；折疊寬邊耦合線L1的下邊依次間隔設有接地屏蔽層G2和折疊寬邊耦合線L6；

折疊寬邊耦合線L1包括上層折疊線L11和下層折疊線L12，折疊寬邊耦合線L2包括上層折疊線L21和下層折疊線L22，折疊寬邊耦合線L3包括上層折疊線L31和下層折疊線L32，折疊寬邊耦合線L4包括上層折疊線L41和下層折疊線L42，折疊寬邊耦合線L5包括上層折疊線L51和下層折疊線L52，折疊寬邊耦合線L6包括上層折疊線L61和下層折疊線L62；

下層折疊線L12的一端通過連接引線Lin1連接端口P1，另一端通過連接柱H2與下層折疊線L22的一端連接，下層折疊線L22的另一端通過連接柱H4與下層折疊線L32的一端連接，下層折疊線L32的另一端通過連接柱H6與下層折疊線L42的一端連接，下層折疊線L42的另一端通過連接柱H8與下層折疊線L52的一端連接，下層折疊線L52的另一端通過連接柱H10與下層折疊線L62的一端連接，下層折疊線L62另一端通過連接引線Lin3連接端口P3，上層折疊線L51的一端通過連接引線Lin2連接端口P2，另一端通過連接柱H7與上層折疊線L41的一端連接，上層折疊線L41的另一端通過連接柱H5與上層折疊線L31的一端連接，上層折疊線L31的另一端通過連接柱H3與上層折疊線L21的一端連接，上層折疊線L21的另一端通過連接柱H1與上層折疊線L11的一端連接，上層折疊線L11的另一端通過連接柱H9與上層折疊線L61的一端連接，上層折疊線L61的另一端通過連接引線Lin4連接端口P4；

接地屏蔽層G2將折疊寬邊耦合線L6與折疊寬邊耦合線L1、折疊寬邊耦合線L2、折疊寬邊耦合線L3、折疊寬邊耦合線L4和折疊寬邊耦合線L5隔離開，側印地GND1、側印地GND2、接地屏蔽層G1、接地屏蔽層G2和接地屏蔽層G3均連接在一起。

2.如權利要求1所述的一種小型化超寬帶3dB定向耦合器，其特征在于：所述端口P1、所述端口P2、所述端口P3和所述端口P4均為表面貼裝的50歐姆阻抗的端口。

3.如權利要求1所述的一種小型化超寬帶3dB定向耦合器，其特征在于：所述耦合器、所述端口P1、所述端口P2、所述端口P3、所述端口P4、所述側印地GND1、所述側印地GND2、所述接地屏蔽層G1和所述接地屏蔽層G3均采用多層低溫共燒陶瓷工藝加工。