[發(fā)明專利]一種提高CVD單晶金剛石硬度及韌性的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810556015.4 | 申請日： | 2018-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN108545738B | 公開（公告）日： | 2020-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李成明;趙云;劉金龍;鄭宇亭;陳良賢;魏俊俊 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京科技大學 |
| 主分類號： | C01B32/28 | 分類號： | C01B32/28 |
| 代理公司： | 北京市廣友專利事務(wù)所有限責任公司 11237 | 代理人： | 張仲波 |
| 地址： | 100083*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 cvd 金剛石 硬度 韌性 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種提高CVD單晶金剛石硬度及韌性的方法，其特征在于：采用微波等離子體化學氣相沉積或者熱絲化學氣相沉積或者直流電弧等離子噴射來生長單晶金剛石時，間斷性地通入氮氣或者氮氣和氧氣的混合氣體或者含硼氣體，生長溫度為700-1050℃，壓力為6-30KPa，CH4/H2＝2-12％，通過不同摻雜層金剛石的交替生長，實現(xiàn)納米多層化界面結(jié)構(gòu)的增強和增韌效應(yīng)；
通入氮氣或者氮氣和氧氣的混合氣體或者含硼氣體的間隔時間為3-5分鐘。
2.如權(quán)利要求1所述提高CVD單晶金剛石硬度及韌性的方法，其特征在于：通入氮氣或者氮氣和氧氣的混合氣體或者含硼氣體的流量為0.03-0.15sccm。
3.如權(quán)利要求1所述提高CVD單晶金剛石硬度及韌性的方法，其特征在于：生長單晶金剛石時，所形成的摻雜層厚度從5nm到800nm。
4.如權(quán)利要求1所述提高CVD單晶金剛石硬度及韌性的方法，其特征在于：每對摻雜層與非摻雜層構(gòu)成一個周期，摻雜層與非摻雜層交替生長周期為30-50個。
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