[發(fā)明專利]芯片封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810555762.6
• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN108831863B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任玉龍
• 申請（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/56
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 陳博旸

1.一種芯片封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

在晶圓（1）表面制備若干第一凸點（11）；

將待封裝晶圓（1）和載片（2）鍵合，其中，所述載片（2）中具有若干凹槽（21），所述凹槽（21）與所述晶圓（1）形成容置空腔，所述第一凸點（11）位于所述容置空腔內(nèi)；

對所述載片（2）進(jìn)行減薄，以暴露出所述晶圓（1）；

在支撐部（22）之間的暴露在外的所述晶圓（1）表面填充內(nèi)容物（23）；

對所述晶圓（1）進(jìn)行減薄；

沿各所述凹槽（21）周邊的支撐部（22）對減薄后的所述晶圓（1）進(jìn)行切割，得到若干芯片，其中，所述切割寬度大于等于所述支撐部（22）的寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述第一凸點（11）與所述凹槽（21）側(cè)壁之間的距離不小于100μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述第一凸點（11）與所述凹槽（21）底壁之間的距離不小于50μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，對所述晶圓（1）進(jìn)行減薄的步驟之后，還包括：

在減薄后的所述晶圓（1）中形成若干在厚度方向上貫穿所述晶圓（1）的通孔（12），所述通孔（12）與所述第一凸點（11）的底部相連；

在若干所述通孔（12）中填充導(dǎo)電材料（13）并延伸至所述晶圓（1）表面；

在所述晶圓（1）遠(yuǎn)離所述載片（2）的一面制備若干第二凸點（14），所述第一凸點（11）與所述第二凸點（14）通過所述導(dǎo)電材料（13）電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，在所述支撐部（22）之間的暴露在外的所述晶圓（1）表面填充內(nèi)容物（23）的步驟之后，還包括：

對所述內(nèi)容物（23）表面以及所述支撐部（22）表面進(jìn)行減薄，以使所述支撐部（22）和所述內(nèi)容物（23）表面平齊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，沿各所述凹槽（21）周邊的支撐部（22）對減薄后的所述晶圓（1）進(jìn)行切割，得到若干芯片的步驟之后，還包括：

去除所述內(nèi)容物（23），完成芯片封裝。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述內(nèi)容物（23）為可溶性膠水，其耐受溫度不低于200攝氏度。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片封裝方法，其特征在于，沿各所述凹槽（21）周邊的支撐部（22）對減薄后的所述晶圓（1）進(jìn)行切割時，切割位距離其最近的所述第一凸點（11）/第二凸點（14）不小于50μm。