[發明專利]一種射頻集成有源電感有效
| 申請號： | 201810555716.6 | 申請日： | 2018-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN108768342B | 公開（公告）日： | 2021-09-03 |
| 發明（設計）人： | 張萬榮;黃建程;謝紅云;金冬月;董小喬;王家寧;張昭 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | H03H11/46 | 分類號： | H03H11/46 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 射頻 集成 有源 電感 | ||
1.一種射頻集成有源電感，其特征在于，包括：輸入單元(1)，頻帶調節單元(2)，第一跨導單元(3)，第一偏置單元(4)，第二偏置單元(5)和第二跨導單元(6)；
其中：所述有源電感的輸入單元(1)包括第一N型MOS晶體管(Mn1)；頻帶調節單元(2)包括第二N型MOS晶體管(Mn2)和第三N型MOS晶體管(Mn3)；第一跨導單元(3)包括第一P型MOS晶體管(Mp1)和第二P型MOS晶體管(Mp2)；第一偏置單元(4)包括第三P型MOS晶體管(Mp3)；第二偏置單元(5)包括第四P型MOS晶體管(Mp4)；第二跨導單元(6)包括第五P型MOS晶體管(Mp5)；
其中：所述有源電感的輸入端(RFin)同時連接第一N型MOS晶體管(Mn1)的柵極和第五P型MOS晶體管(Mp5)的漏極；電源(VDD)同時連接第一N型MOS晶體管(Mn1)的漏極、第四P型MOS晶體管(Mp4)的源極和第五P型MOS晶體管(Mp5)的源極；地端(GND)同時連接第二N型MOS晶體管(Mn2)的源極、第三N型MOS晶體管(Mn3)的源極和第三P型MOS晶體管(Mp3)的漏極；第三N型MOS晶體管(Mn3)的柵極連接第一可調電壓源(Vtune1)；第三N型MOS晶體管(Mn3)的漏極同時連接第二N型MOS晶體管(Mn2)的柵極、第二N型MOS晶體管(Mn2)的漏極、第一N型MOS晶體管(Mn1)的源極和第一P型MOS晶體管(Mp1)的源極；第三P型MOS晶體管(Mp3)的柵極連接第一偏置電壓源(Vbias1)；第三P型MOS晶體管(Mp3)的源極同時連接第一P型MOS晶體管(Mp1)的漏極和第二P型MOS晶體管(Mp2)的漏極；第二可調電壓源(Vtune2)同時連接第一P型MOS晶體管(Mp1)的柵極和第二P型MOS晶體管(Mp2)的柵極；第二P型MOS晶體管(Mp2)的源極同時連接第四P型MOS晶體管(Mp4)的漏極和第五P型MOS晶體管(Mp5)的柵極；第四P型MOS晶體管(Mp4)的柵極連接第二偏置電壓源(Vbias2)。
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