[發明專利]一種帶有交叉耦合濾波網絡的高速參考電壓緩沖器有效
| 申請號: | 201810555416.8 | 申請日: | 2018-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN108563276B | 公開(公告)日: | 2020-05-26 |
| 發明(設計)人: | 李靖;陳炳華;羅建;徐成陽;寧寧;吳克軍 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛啟函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 帶有 交叉 耦合 濾波 網絡 高速 參考 電壓 緩沖器 | ||
1.一種帶有交叉耦合濾波網絡的高速參考電壓緩沖器,包括參考電壓產生模塊(401),
所述參考電壓產生模塊(401)包括電平轉移電路、第一誤差放大器、第二誤差放大器、第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)和第三NMOS管(M3),
其特征在于,所述電平轉移電路的輸入端連接基準電壓(Vbg),用于產生初級正參考電壓(Vrefts)和初級負參考電壓(Vrefbs);
第一誤差放大器的正向輸入端連接所述初級正參考電壓(Vrefts),其負向輸入端連接第一NMOS管(M1)的源極和第二NMOS管(M2)的漏極,其輸出端連接第一NMOS管(M1)的柵極并輸出第一偏置電壓(VGTS);
第二誤差放大器的正向輸入端連接所述初級負參考電壓(Vrefbs),其負向輸入端連接第二NMOS管(M2)的源極、第三NMOS管(M3)的柵極和漏極,其輸出端連接第二NMOS管(M2)的柵極并輸出第二偏置電壓(VGBS);
第一NMOS管(M1)的漏極連接電源電壓(VDD),第三NMOS管(M3)的源極接地;
所述高速參考電壓緩沖器還包括參考電壓輸出緩沖模塊(402),所述參考電壓輸出緩沖模塊(402)包括第四NMOS管(M4)、第五NMOS管(M5)、第六NMOS管(M6)、第七NMOS管(M7)、第八NMOS管(M8)、第九NMOS管(M9)、第十NMOS管(M10)、第一電阻(R1)和第二電阻(R2),
第七NMOS管(M7)的柵極連接所述第一偏置電壓(VGTS)并通過第一電阻(R1)后連接第四NMOS管(M4)和第九NMOS管(M9)的柵極以及第十NMOS管(M10)的漏極和源極,其漏極和源極接地;
第八NMOS管(M8)的柵極連接所述第二偏置電壓(VGBS)并通過第二電阻(R2)后連接第五NMOS管(M5)和第十NMOS管(M10)的柵極以及第九NMOS管(M9)的漏極和源極,其漏極和源極接地;
第四NMOS管(M4)的漏極連接電源電壓(VDD),其源極連接第五NMOS管(M5)的漏極并輸出正參考電壓(Vreft);
第五NMOS管(M5)的源極連接第六NMOS管(M6)的柵極和漏極并輸出負參考電壓(Vrefb),第六NMOS管(M6)的源極接地。
2.根據權利要求1所述的帶有交叉耦合濾波網絡的高速參考電壓緩沖器,其特征在于,所述第一電阻(R1)和第二電阻(R2)為多晶電阻。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于電子科技大學,未經電子科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810555416.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





