[發(fā)明專利]自分子簇化合物合成金屬氧化物半導(dǎo)體納米粒子

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810555362.5
• 申請(qǐng)日: 2014-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN108751248B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奈杰爾·皮克特;史蒂文·馬修·丹尼爾斯;翁布雷塔·馬薩拉;納瑟莉·格雷斯蒂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 納米技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C01G9/02
• 分類號(hào): C01G9/02;C01G11/00;C01G13/02;C09K11/54
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳勝周

1.一種納米粒子，所述納米粒子包含：

包含第IIB族金屬的金屬氧化物晶體核；和

分子簇化合物，所述分子簇化合物包含來自周期表第IIB族和第VIA族的元素，其中

所述金屬氧化物晶體核布置在所述分子簇化合物上并在其上形成層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米粒子，所述納米粒子還包含一個(gè)或多個(gè)設(shè)置在所述金屬氧化物晶體核上的半導(dǎo)體材料的層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米粒子，其中所述半導(dǎo)體材料選自由以下各項(xiàng)組成的組：MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、Zn₃N₂、Zn₃P₂、Zn₃As₂、Cd₃N₂、Cd₃P₂、Cd₃As₂、BN、BP、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、B₄C、Al₄C₃、Ga₄C、Al₂S₃、Al₂Se₃、Al₂Te₃、Ga₂S₃、Ga₂Se₃、Ga₂Te₃、In₂S₃、In₂Se₃、In₂Te₃、PbS、PbSe、PbTe、SnS、SnSe、SnTe、NiS、CrS、CuInS₂、CuInSe₂、AgInS₂或其摻雜材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米粒子，所述納米粒子還包含由帽化配體構(gòu)成的最外層，所述帽化配體選自由以下各項(xiàng)組成的組：膦類、氧化膦類、烷基膦酸類、烷基胺類、芳基胺類、吡啶類、硫醇類、長(zhǎng)鏈脂肪酸類和噻吩類。

5.一種墨水組合物，所述組合物包含：

溶劑；和

多個(gè)納米粒子，所述多個(gè)納米粒子各自包含：

包含第IIB族金屬的金屬氧化物晶體核；和

分子簇化合物，所述分子簇化合物包含來自周期表第IIB族和第VIA族的元素，其中

所述金屬氧化物晶體核在所述分子簇化合物上生長(zhǎng)并且在其上形成層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的墨水組合物，其中所述分子簇化合物和所述金屬氧化物晶體核都包含相同的第IIB族金屬和氧。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的墨水組合物，其中所述分子簇化合物不包含氧。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的墨水組合物，其中所述分子簇化合物不包含與所述金屬氧化物晶體核的金屬相同的第IIB族金屬。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的墨水組合物，其中所述納米粒子還包含由帽化配體構(gòu)成的最外層，所述帽化配體選自由以下各項(xiàng)組成的組：膦類、氧化膦類、烷基膦酸類、烷基胺類、芳基胺類、吡啶類、硫醇類、長(zhǎng)鏈脂肪酸類和噻吩類。

10.一種用于形成第IIB族金屬氧化物納米粒子的方法，所述方法包括使所述金屬氧化物納米粒子在II-VI分子簇化合物存在下生長(zhǎng)，其中所述分子簇化合物的第II族金屬不是與所述金屬氧化物的第IIB族金屬相同的第II族金屬，并且其中所述分子簇化合物的第VI族原子不是氧。