[發(fā)明專利]存儲裝置及其操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810555223.2
• 申請日: 2018-06-01
• 公開（公告）號: CN109308931B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發(fā)明（設計）人: 金海洙
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮

1.一種操作存儲裝置的方法，該方法包括以下步驟：

向存儲塊施加擦除電壓；

對所述存儲塊執(zhí)行擦除驗證操作以確定所述存儲塊中包括的存儲單元的閾值電壓是否已達到擦除狀態(tài)；

如果所述擦除驗證操作失敗，則對所述存儲塊執(zhí)行第一盲編程操作；以及

將具有比所述擦除電壓更高的電壓電平的改變后的擦除電壓施加到所述存儲塊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過將第一盲編程電壓同時施加至與所述存儲塊聯(lián)接的多條字線來執(zhí)行所述第一盲編程操作。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括：在施加所述擦除電壓之前，對所述存儲塊執(zhí)行第二盲編程操作。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，不管是否已經(jīng)對所述存儲塊執(zhí)行了編程操作，都執(zhí)行所述第二盲編程操作。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，對所述存儲塊執(zhí)行所述第二盲編程操作的步驟包括增加存儲單元的閾值電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，該方法還包括在已經(jīng)執(zhí)行了所述第一盲編程操作之后：

將具有比所述擦除電壓更高的電壓電平的改變后的擦除電壓施加至所述存儲塊；以及

使用具有比所述第一盲編程電壓更高的電壓電平的改變后的第一盲編程電壓來執(zhí)行所述第一盲編程操作。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，該方法還包括在施加所述改變后的擦除電壓之后：

使用所述第一盲編程電壓來再次執(zhí)行所述第一盲編程操作。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，該方法還包括在已經(jīng)執(zhí)行了所述第一盲編程操作之后：

將具有比所述擦除電壓更高的電壓電平的改變后的擦除電壓施加至所述存儲塊；以及

使用具有比所述第一盲編程電壓更低的電壓電平的減小后的第一盲編程電壓來執(zhí)行所述第一盲編程操作。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括當所述擦除驗證操作通過時，執(zhí)行第二盲編程操作。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，

其中，所述第二盲編程操作包括多個盲編程循環(huán)，并且

其中，所述盲編程循環(huán)中的每一個包括第二盲編程電壓施加操作和盲編程驗證操作。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述盲編程驗證操作包括：當被確定為關閉的串的數(shù)目是預定值或更多時，確定所述第二盲編程操作已通過。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，對與偶數(shù)位線聯(lián)接的存儲單元和與奇數(shù)位線聯(lián)接的存儲單元依次執(zhí)行所述盲編程驗證操作。

13.一種操作存儲裝置的方法，該方法包括以下步驟：

向存儲塊施加擦除電壓；

對所述存儲塊執(zhí)行擦除驗證操作以確定所述存儲塊中包括的存儲單元的閾值電壓是否已達到擦除狀態(tài)；以及

如果確定所述擦除驗證操作失敗，則根據(jù)所述存儲塊的擦除計數(shù)值對所述存儲塊執(zhí)行第一盲編程操作，

其中，當所述擦除計數(shù)值大于預定第一閾值時，執(zhí)行所述第一盲編程操作。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，該方法還包括在施加所述擦除電壓之前，當所述擦除計數(shù)值大于預定第二閾值時，對所述存儲塊執(zhí)行第二盲編程操作。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，該方法還包括如果所述擦除驗證操作通過并且當所述擦除計數(shù)值大于預定第二閾值時，對所述存儲塊執(zhí)行第二盲編程操作。