[發(fā)明專利]顯示設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810554702.2 | 申請日: | 2018-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN108987605B | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李昭玲;姜善美;金鉉鎬;張哲;丁善英;曺尚煥;崔忠碩;韓相炫 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 設(shè)備 | ||
1.顯示設(shè)備,包括:
襯底;
第一發(fā)光元件,設(shè)置在所述襯底上;
封裝層,設(shè)置在所述第一發(fā)光元件上;
輸入感測層,設(shè)置在所述封裝層上;以及
衍射圖案層,設(shè)置在所述輸入感測層上,
其中,所述衍射圖案層包括多個衍射圖案,所述多個衍射圖案布置成在一個方向上具有第一周期,
其中:
所述封裝層包括玻璃絕緣襯底;以及
所述輸入感測層直接設(shè)置在所述玻璃絕緣襯底上,
其中:
所述輸入感測層包括:
第一感測電極,包括多個第一感測部分和電連接到所述第一感測部分的多個第一連接部分;以及
第二感測電極,包括多個第二感測部分以及電連接到所述第二感測部分的多個第二連接部分;
所述第一感測部分和所述第二感測部分設(shè)置在相同的層上;以及
所述第一連接部分和所述第二連接部分設(shè)置在不同的層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其中:
所述封裝層包括有機層和無機層中的至少一種;以及
所述輸入感測層直接設(shè)置在所述封裝層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備,其中:
所述輸入感測層包括多個感測電極和電連接到所述感測電極的第一信號線;以及
所述感測電極具有網(wǎng)格形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,還包括:
鈍化層,設(shè)置在所述輸入感測層與所述衍射圖案層之間,
其中,所述鈍化層包括聚合物材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,還包括:
抗反射層,設(shè)置在所述衍射圖案層與所述輸入感測層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,還包括:
抗反射層,設(shè)置在所述衍射圖案層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,還包括:
抗反射層,設(shè)置在所述輸入感測層與所述封裝層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備,其中,所述抗反射層包括偏光膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,還包括:
窗層,設(shè)置在所述衍射圖案層與所述輸入感測層之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其中,
當(dāng)所述衍射圖案中的一個的截面寬度限定為第一長度時,所述第一周期和所述第一長度滿足以下公式:
0.4≤d1/DP11
其中,DP1表示所述第一周期,以及d1表示所述第一長度。
11.顯示設(shè)備,包括:
襯底;
第一發(fā)光元件,設(shè)置在所述襯底上;
封裝層,設(shè)置在所述第一發(fā)光元件上;
輸入感測層,設(shè)置在所述封裝層上;以及
衍射圖案層,設(shè)置在所述輸入感測層上,
其中,所述衍射圖案層包括多個衍射圖案,所述多個衍射圖案布置成在一個方向上具有第一周期,
其中,所述衍射圖案通過衍射從所述第一發(fā)光元件發(fā)射的光來產(chǎn)生參考發(fā)射圖案和第一復(fù)制發(fā)射圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備,其中,所述第一復(fù)制發(fā)射圖案的亮度大于或等于所述參考發(fā)射圖案的亮度的3%。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備,其中,當(dāng)所述參考發(fā)射圖案與所述第一復(fù)制發(fā)射圖案之間的距離限定為衍射距離且所述第一發(fā)光元件與所述衍射圖案之間的距離限定為間隔距離時,所述衍射距離滿足以下公式:
其中,β表示所述衍射距離,z表示所述間隔距離,DP1表示所述第一周期,λ表示從所述第一發(fā)光元件發(fā)射的光的波長,以及nEN表示所述封裝層的折射率。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





