[發明專利]光電子器件和用于制造光電子器件的方法

有效

• 申請號: 201810554447.1
• 申請日: 2018-06-01
• 公開（公告）號: CN108987553B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: R.米勒;R.施陶布;C.齊賴斯
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/52
• 分類號: H01L33/52;H01L33/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 姬亞東;劉春元

本發明涉及具有反射材料的光電子器件。光電子器件具有帶表面的反射材料。至少一個光電子半導體芯片嵌入到所述反射材料中，使得光電子半導體芯片的至少一個被構造用于發射電磁輻射的上側不被所述反射材料覆蓋。反射材料的表面與光電子半導體芯片的上側平行伸展地構造并且背向光電子半導體芯片的下側。反射材料的表面具有對比區域，其中所述反射材料在對比區域中被表面去除并且涂黑。

技術領域

本發明涉及根據獨立權利要求的光電子器件以及用于制造光電子器件的方法。

本專利申請要求德國專利申請DE 10 2017 112 076.9的優先權，其公開內容就此通過引用并入本文。

背景技術

從現有技術中已知產生限定的光分布的光電子部件。 例如，通過在封裝邊緣處安置發光面可以引起明暗邊界。另一種可能性在于布置附加結構、例如限定明暗邊界的框。從現有技術還已知使用黑色材料來產生限定的光分布。

發明內容

本發明的目的在于提供一種光電子器件。另一目的是說明一種用于制造光電子器件的方法。這些目的通過具有獨立權利要求1的特征的光電子器件和具有獨立權利要求9的特征的用于制造光電子器件的方法來實現。

光電子器件具有帶表面的反射材料。至少一個光電子半導體芯片嵌入到反射材料中，使得光電子半導體芯片的至少一個被構造用于發射電磁輻射的上側不被反射材料覆蓋。反射材料的表面與光電子半導體芯片的上側平行伸展地構造并且背離光電子半導體芯片的下側。反射材料的表面具有對比區域。在對比區域中，反射材料被表面去除。有利地，光電子器件由于其對比區域而能夠產生由光電子半導體芯片發射的電磁輻射的限定分布。對比區域在此限定了明暗邊界，因為對比區域被構造用于吸收電磁輻射，而由光電子半導體芯片發射的電磁輻射在對比區域之外的反射材料的表面處被反射。

在一種實施方式中，反射材料在對比區域中被涂黑。有利地，對比區域的涂黑增加電磁輻射的吸收。

在一種實施方式中，反射材料具有硅樹脂。有利地，具有硅樹脂的反射材料可以涂黑。此外，硅樹脂的性能基于其化學結構的改性，由此可得到多種材料特性。例如，可以有針對性地設定光學特性。此外，硅樹脂適用于絕緣，并且因此可用于防腐蝕。此外，嵌入到硅樹脂中的光電子半導體芯片受到保護，免受機械振動。

在一種實施方式中，反射材料表面的未涂黑部分與對比區域之間的反射能力的比率為至少250：1，特別是至少300：1。有利地，關于在反射材料表面的未涂黑部分與對比區域之間的反射能力具有這樣的比率的光電子器件可以產生由光電子半導體芯片發射的電磁輻射的限定的分布。

在一種實施方式中，光電子半導體芯片布置在載體上。在一種實施方式中，載體是引線框架、印刷電路板或陶瓷。在一種實施方式中，光電子半導體芯片是發光二極管芯片。

在一種實施方式中，光電子器件是汽車前照燈。有利地，具有限定的明暗邊界的汽車前照燈被構造用于以期望的空間角發射電磁輻射。例如，這可以用來盡可能少地使對向交通耀眼。

用于制造光電子器件的方法具有以下方法步驟。提供至少一個光電子半導體芯片，其具有被構造用于發射電磁輻射的上側。光電子半導體芯片嵌入到反射材料中，其中光電子半導體芯片嵌入到反射材料中，使得至少光電子半導體芯片的上側不被反射材料覆蓋。反射材料的表面在此平行于光電子半導體芯片的上側并背向光電子半導體芯片的下側地來構造。通過表面去除反射材料的方式產生對比區域。有利地，該方法的特征在于，不必在反射材料的表面上布置其它材料來產生限定的明暗分界。因此降低了工藝和材料成本。

在一種實施方式中，當產生對比區域時，涂黑反射材料。

在一種實施方式中，光電子半導體芯片和反射材料布置在載體上。

在一種實施方式中，對比區域通過激光剝蝕來產生。有利地，通過激光剝蝕產生的對比區域具有限定的輪廓。