[發(fā)明專利]連接結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810554032.4
• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN108493155B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張震;廖鵬宇
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

本公開實施例提供一種連接結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板及其制作方法，該連接結(jié)構(gòu)的制作方法包括：在襯底基板上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成掩模層；采用第一構(gòu)圖工藝在掩模層中形成第一開口；在掩模層上形成第二絕緣層；采用第二構(gòu)圖工藝在第二絕緣層中形成暴露第一開口的第二開口；以及通過第二開口以掩模層為掩模對第一絕緣層進行刻蝕形成第三開口。該制作方法利用事先形成的掩模層通過一次構(gòu)圖工藝形成第二開口和第三開口從而形成臺階結(jié)構(gòu)，簡化了制備工藝，降低了制備成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開實施例涉及一種連接結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)

對于便攜式電子產(chǎn)品，很多時候需要對電路進行彎折處理。例如，在顯示技術(shù)領(lǐng)域，為了實現(xiàn)窄邊框甚至無邊框顯示，需要對顯示裝置的焊盤(Bonding Pad)區(qū)進行彎折處理；或者為了實現(xiàn)柔性顯示，也需要制作耐彎折的連接結(jié)構(gòu)。耐彎折的連接結(jié)構(gòu)的制作工藝是本領(lǐng)域關(guān)注的課題。

發(fā)明內(nèi)容

本公開實施例提供一種連接結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：在襯底基板上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成掩模層；采用第一構(gòu)圖工藝在所述掩模層中形成第一開口；在所述掩模層上形成第二絕緣層；采用第二構(gòu)圖工藝在所述第二絕緣層中形成暴露所述第一開口的第二開口、以及通過所述第二開口以所述掩模層為掩模對所述第一絕緣層進行刻蝕形成第三開口。

例如，所述第二開口的尺寸大于所述第一開口的尺寸并且完全暴露所述第一開口。

例如，所述制作方法還包括：形成導(dǎo)電層填充所述第一開口、所述第二開口和所述第三開口，所述導(dǎo)電層延伸通過所述第二開口。

例如，所述制作方法還包括：在形成所述導(dǎo)電層之前形成應(yīng)力緩沖層填充所述第一開口、所述第二開口和所述第三開口，所述導(dǎo)電層形成于所述應(yīng)力緩沖層上。

例如，所述掩模層材料為多晶硅，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層包括硅元素，所述制作方法包括：在一次干法刻蝕工藝中依次形成所述第二開口和所述第三開口，其中，形成所述第三開口時的氣體氛圍中氟元素的濃度低于形成所述第二開口時的氣體氛圍中氟元素的濃度。

例如，所述襯底基板為柔性基板。

本公開實施例還提供一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)、焊盤區(qū)和位于所述顯示區(qū)和所述焊盤區(qū)之間的彎折區(qū)，所述彎折區(qū)形成有連接結(jié)構(gòu)，所述制作方法包括：采用上述制作方法形成所述連接結(jié)構(gòu)，且所述第一開口、所述第二開口和所述第三開口對應(yīng)于被彎折部分。

例如，所述陣列基板還包括形成于所述顯示區(qū)的薄膜晶體管的有源層，所述掩模層與所述有源層通過對同一半導(dǎo)體材料層構(gòu)圖形成。

例如，所述陣列基板還包括形成于所述顯示區(qū)的薄膜晶體管的源漏電極層和柵極，所述導(dǎo)電層與所述源漏電極層或所述柵極通過對同一導(dǎo)電材料層構(gòu)圖形成。

本公開實施例提供一種連接結(jié)構(gòu)，包括：襯底基板；以及第一絕緣層、掩模層和第二絕緣層，所述第一絕緣層、所述掩模層和所述第二絕緣層依次層疊設(shè)置于所述襯底基板上，所述掩模層包括第一開口以及未被所述第二絕緣層覆蓋并圍繞所述第一開口的第一部分，所述第二絕緣層包括第二開口，所述第一絕緣層包括第三開口，所述第二開口暴露所述第一開口以及所述掩模層的第一部分，所述第一開口暴露第三開口，并且所述第一開口與所述第三開口具有相同的輪廓。

例如，所述連接結(jié)構(gòu)還包括導(dǎo)電層，其中，所述導(dǎo)電層填充所述第一開口、所述第二開口和所述第三開口，并延伸通過所述第二開口。

例如，所述連接結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述導(dǎo)電層與所述第二絕緣層之間的應(yīng)力緩沖層，所述應(yīng)力緩沖層填充所述第一開口、所述第二開口和所述第三開口。

例如，所述掩模層還包括被所述第二絕緣層覆蓋的第二部分，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。