[發明專利]Micro LED顯示裝置有效
| 申請號: | 201810552840.7 | 申請日: | 2018-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN110556394B | 公開(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發明(設計)人: | 李瀟;趙英明 | 申請(專利權)人: | 海信視像科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
| 地址: | 266555 山東省青*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | micro led 顯示裝置 | ||
1.一種Micro LED顯示裝置,包括:相對設置的驅動基板和封裝基板,所述驅動基板面向所述封裝基板的一面上設有呈陣列排布的多個藍光微發光二極管Micro LED,所述封裝基板的一面上設有彩色像素層,所述彩色像素層包括紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍色子像素單元,其特征在于,還包括:設于所述彩色像素層面向所述多個藍光Micro LED的一面上僅允許藍光透過的第一藍光法布里珀羅FP透光層;其中,所述FP透光層包括:相對設置構成FP諧振腔的腔體的第一反射層和第二反射層,以及設于所述第一反射層與所述第二反射層之間調節光線光程的填充層。
2.根據權利要求1所述的Micro LED顯示裝置,其特征在于,每一個子像素單元對應一個所述藍光Micro LED。
3.根據權利要求2所述的Micro LED顯示裝置,其特征在于,所述第一反射層為銀層或者分布式布拉格反射層DBR;
所述第二反射層為銀層或者DBR反射層。
4.根據權利要求3所述的Micro LED顯示裝置,其特征在于,所述第一反射層的反射率為60%-80%;
所述第二反射層的反射率為60%-80%。
5.根據權利要求1所述的Micro LED顯示裝置,其特征在于,所述填充層的材料為三氧化鎢或者聚偏氟乙烯。
6.根據權利要求1所述的Micro LED顯示裝置,其特征在于,所述藍光Micro LED發射的藍光波長為450-480nm。
7.根據權利要求1-6任一項所述的Micro LED顯示裝置,其特征在于,還包括:設于所述彩色像素層遠離所述多個藍光Micro LED一面上的多個僅允許紅光透過的紅光FP透光層、僅允許綠光透過的綠光FP透光層、與僅允許藍光透過的第二藍光FP透光層;所述紅光FP透光層、綠光FP透光層和第二藍光FP透光層分別對應所述Micro LED顯示裝置的紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素。
8.根據權利要求7所述的Micro LED顯示裝置,其特征在于,所述紅光FP透光層的填充層的厚度為775-787nm;
所述綠光FP透光層的填充層的厚度為650-662nm;
所述第二藍光FP透光層的填充層的厚度為562-600nm。
9.根據權利要求7所述的Micro LED顯示裝置,其特征在于,所述紅光FP透光層、綠光FP透光層和第二藍光FP透光層同層設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





