[發(fā)明專(zhuān)利]有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810552680.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-05-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108470840B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 程爽;王湘成;牛晶華;朱晴;張治;王建云;林君 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L51/50 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京匯思誠(chéng)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444 | 代理人： | 王剛;龔敏 |
| 地址： | 201201 上海市浦*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 有機(jī) 發(fā)光 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，包括：
陣列基板，所述陣列基板包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)元件；
與所述驅(qū)動(dòng)元件對(duì)應(yīng)設(shè)置的有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件包括陽(yáng)極和陰極，以及位于所述陽(yáng)極和所述陰極之間的有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括有機(jī)發(fā)光層，和位于所述陰極與所述有機(jī)發(fā)光層之間的第一電子傳輸層，所述第一電子傳輸層包括第一摻雜劑，所述第一摻雜劑包括堿土金屬元素或者稀土金屬元素；
所述有機(jī)發(fā)光器件還包括第二電子傳輸層，所述第二電子傳輸層位于所述第一電子傳輸層與所述有機(jī)發(fā)光層之間，所述第二電子傳輸層中不含所述第一摻雜劑，且所述第一電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的最低未占據(jù)軌道能級(jí)LUMO1與所述第二電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的最低未占據(jù)軌道能級(jí)LUMO2之間滿(mǎn)足：|LUMO1-LUMO2|＜0.18eV；
所述第二電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的最高占據(jù)軌道能級(jí)HOMO2與所述有機(jī)發(fā)光層的主體材料的最高占據(jù)軌道能級(jí)HOMO3之間滿(mǎn)足：|HOMO2-HOMO3|<1eV，且在至少一所述有機(jī)發(fā)光器件中，所述第二電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的最高占據(jù)軌道能級(jí)HOMO2與所述有機(jī)發(fā)光層的主體材料的最高占據(jù)軌道能級(jí)HOMO3之間滿(mǎn)足：|HOMO2-HOMO3|>0.2eV；
所述第一電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的最高占據(jù)軌道能級(jí)HOMO1與所述第二電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的最高占據(jù)軌道能級(jí)HOMO2之間滿(mǎn)足：0<|HOMO1-HOMO2|<0.8eV；
所述第二電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的最低未占據(jù)軌道能級(jí)LUMO2與所述有機(jī)發(fā)光層的主體材料的最低未占據(jù)軌道能級(jí)LUMO3之間滿(mǎn)足：|LUMO2-LUMO3|＜0.8eV。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，
所述第二電子傳輸層的厚度d范圍為：2nm<d<60nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，
在垂直于所述有機(jī)發(fā)光顯示面板的方向上，所述第一電子傳輸層的厚度大于所述第二電子傳輸層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，所述第一電子傳輸層中所述第一摻雜劑的摻雜體積比范圍為：0.5％～7％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，所述第二電子傳輸層中的電子遷移率Em與空穴遷移率Hm之間滿(mǎn)足：Em>Hm·100。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，
所述第二電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的材料與所述第一電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的材料相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，
所述第二電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的材料與所述第一電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的材料不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，
所述有機(jī)發(fā)光器件還包括第三電子傳輸層，所述第三電子傳輸層位于所述第一電子傳輸層與所述第二電子傳輸層之間，所述第三電子傳輸層中所述第一摻雜劑的摻雜濃度小于所述第一電子傳輸層中所述第一摻雜劑的摻雜濃度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，所述第三電子傳輸層中靠近所述第一電子傳輸層的一側(cè)的所述第一摻雜劑的摻雜濃度大于所述第三電子傳輸層中遠(yuǎn)離所述第一電子傳輸層的一側(cè)的所述第一摻雜劑的摻雜濃度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，
所述第三電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的材料與所述第一電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的材料相同；
或者所述第三電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的材料與所述第二電子傳輸層中電子傳輸基質(zhì)的材料相同。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專(zhuān)門(mén)適用于感應(yīng)紅外線(xiàn)輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射；專(zhuān)門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
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- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長(zhǎng)
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
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- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明
