[發(fā)明專利]一種背接觸異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制造方法

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• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN110634971A
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設計）人: 曾清華;張超華;謝志剛;王樹林;林朝暉
• 申請（專利權(quán)）人: 福建金石能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/075;H01L31/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種背接觸異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：包括N型單晶硅片，依次設在硅片正面金字塔絨面上的第二本征非晶硅層、第一N型非晶硅層、一層增透層，依次設在硅片背面P區(qū)表面的第一本征非晶硅層、P型非晶硅層、第二透明導電膜層、銅種子層、銅柵線電極，依次設在硅片背面N區(qū)金字塔絨面上的第三本征非晶硅層、第二N型非晶硅層、第一透明導電膜層、第二透明導電膜層、銅種子層、銅柵線電極，依次設在硅片背面N/P交疊區(qū)表面的第一本征非晶硅層、P型非晶硅層、絕緣層、第三本征非晶硅層、第二N型非晶硅層、第一透明導電膜層、第二透明導電膜層、銅種子層及絕緣槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種背接觸異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述第一本征非晶硅層、P型非晶硅層、第二本征非晶硅層、第一N型非晶硅層、第三本征非晶硅層、第二N型非晶硅層厚度為1～15nm，所述非晶硅層通過PECVD沉積形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種背接觸異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述增透層為氮化硅、氮氧化硅、氟化鎂、ITO、氧化硅、氧化鋁、氧化鋅中的至少一種，厚度為40～200nm，寬度為0.02～0.2mm，所述增透層通過PECVD或PVD沉積形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種背接觸異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述絕緣層為氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、非晶硅中的至少一種，厚度為40～200nm，所述絕緣層通過PECVD或PVD沉積形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種背接觸異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述第一透明導電膜層、第二透明導電膜層為金屬氧化物，所述金屬氧化物為氧化銦錫薄膜、摻鋁氧化鋅、摻鎢氧化銦薄膜中的一種，厚度為10～200nm，所述金屬氧化物通過PVD沉積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種背接觸異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述銅柵線電極包含銅柵線層和銅柵線保護層，所述銅柵線保護層為錫層，所述銅柵線電極寬度為10-150um，厚度為5-50um。

7.一種背接觸異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述制作方法包括如下步驟：

提供拋光清洗干凈的N型硅片；

在所述硅片的背面依次鍍第一本征非晶硅層、P型非晶硅層、一層絕緣層；

在所述硅片的背面P區(qū)印刷一層保護油墨；

經(jīng)過腐蝕溶液腐蝕，腐蝕去除保護油墨區(qū)域外的絕緣層、P型非晶硅層、第一本征非晶硅層；

去除保護油墨之后經(jīng)過制絨清洗，在P區(qū)外形成金字塔絨面；

在所述硅片的正面依次鍍第二本征非晶硅層、第一N型非晶硅層、一層增透層；

在所述硅片的背面依次鍍第三本征非晶硅層、第二N型非晶硅層、第一透明導電膜層；

在所述硅片的背面絕緣層局部區(qū)域印刷第一蝕刻油墨，反應后經(jīng)過清洗去除印刷區(qū)域的第一透明導電膜層、第二N型非晶硅層、第三本征非晶硅層、絕緣層；

在所述硅片的背面依次鍍第二透明導電膜層、銅種子層；

在所述硅片的背面絕緣層局部區(qū)域印刷第二蝕刻油墨，反應后經(jīng)過清洗去除印刷區(qū)域的銅種子層、第二透明導電膜層、第一透明導電膜層；

在所述硅片的背面印刷一層耐電鍍油墨形成柵線圖案；

在所述硅片的背面柵線圖案區(qū)域電鍍銅，形成銅柵線電極；

通過去膜溶液，去除硅片背面的耐電鍍油墨及銅種子層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種背接觸異質(zhì)結(jié)太陽能電池制作方法，其特征在于：所述保護油墨印刷寬度為0.3～0.9mm，固化溫度為100～220℃，固化時間為5～60分鐘，所述保護油墨耐HF、HNO₃、H₂O₂，所述腐蝕溶液為HF、HNO₃、H₂O₂中的至少一種，腐蝕反應時間為1～20分鐘，去除保護油墨采用堿液去除。