[發明專利]基片液處理裝置、處理液供給方法和存儲介質在審
| 申請號: | 201810551247.0 | 申請日: | 2018-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN108987309A | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發明(設計)人: | 福田孝佑;中島干雄;筱原和義;東博之 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理液 處理液供給 噴嘴 開閉閥 液處理裝置 存儲介質 流量控制機構 處理液流量 關閉期間 停止供給 停止控制 狀態轉變 消耗量 減小 | ||
本發明涉及基片液處理裝置、處理液供給方法和存儲介質。當使用低表面張力的處理液時,防止來自噴嘴的處理液供給停止后的液體下落,定量地控制開閉閥關閉期間的處理液流量,并且減小處理液的消耗量。控制部(4)在從將處理液以第一流量從噴嘴(40)向基片(W)供給的狀態起停止供給來自噴嘴的處理液時,使開閉閥(716)從打開狀態轉變為關閉狀態,并且進行將比第一流量小的第二流量作為流量目標值給予流量控制機構(715)的停止控制,最晚至開閉閥開始從打開狀態向關閉狀態轉變之前。
技術領域
本發明涉及一種通過從噴嘴向基片供給處理液來對基片進行液處理的技術。
背景技術
在半導體裝置的制造步驟中包括通過從噴嘴向半導體晶片等的基片的表面供給處理液,對基片實施濕蝕刻、藥液清洗等的液處理的液處理步驟。在停止供給來自噴嘴的處理液之后,當處理液從噴嘴垂落到基片的表面時,可能產生基片的處理不良。當處理液從噴嘴垂落到液接收杯的外側的區域時,該垂落的處理液發生結晶而可能污染處理腔室內部。這樣的來自供給停止后的噴嘴的處理液的下落問題,在低表面張力的藥液,例如含有表面活性劑的BHF(氫氟酸)中變得顯著。專利文獻1中記載了用于避免上述問題的方法的一個例子。
專利文獻1所記載的裝置包括:從處理液供給源向噴嘴供給處理液的供給線路;設置于供給線路的流量控制機構;設置于流量控制機構的下游側的、能夠對閉閥速度進行調整的主開閉閥;比主開閉閥靠上游側并且在流量控制機構的下游側從供給線路分支出來的排放線路;設置于排放線路的開閉閥。當停止供給來自噴嘴的處理液時,打開排放線路的開閉閥,以使在供給線路中流動的處理液的一部分流向排放線路,在該狀態下,以較低的閉閥速度關閉主開閉閥。由此,當打開主開閉閥時能夠使主開閉閥的一次側壓力大致維持穩定,由此由于緩慢地關閉主開閉閥的效果,能夠防止在噴嘴內發生液體破裂。因此,能夠在停止供給處理液后,防止來自噴嘴的液體下落。另外,能夠防止由于內壓上升而導致的流量控制機構的構成裝置破損。
然而,專利文獻1的裝置,在停止供給處理液時在供給線路中流動的處理液的一部分不向基片供給而被舍棄,因此存在浪費處理液的問題,和不能夠精確地管理向基片供給的處理液的總量的問題,在這些地方尚有改善的余地。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2013-030559號公報
發明內容
發明想要解決的技術問題
本發明的目的在于提供一種技術,其能夠防止來自噴嘴的處理液的排出停止后的液體下落,能夠定量地控制開閉閥關閉期間的處理液流量,并且能夠減少處理液的消耗量。
用于解決技術問題的技術方案
根據本發明的一個實施方式,提供一種基片液處理裝置,其特征在于,包括:保持基片的基片保持部;對由上述基片保持部保持的上述基片供給處理液的噴嘴;一端與噴嘴連接,另一端與處理液供給源連接的供給線路;具有設置于上述供給線路的流量計和流量控制閥的流量控制機構;設置于上述供給線路的開閉閥;和控制上述流量控制機構和上述開閉閥的動作的控制部,上述流量控制機構能夠調節流量控制閥,以使得上述流量計的檢測值與上述控制部給予的流量目標值一致,上述控制部使上述開閉閥成為打開狀態,從上述噴嘴向上述基片供給上述處理液,并且將第一流量作為上述流量目標值給予上述流量控制機構,上述控制部,在要使上述開閉閥從打開狀態轉變為關閉狀態,從將上述處理液從上述噴嘴向上述基片供給的狀態起停止供給上述處理液時,進行將比上述第一流量小的第二流量作為上述流量目標值給予上述流量控制機構的停止控制,直到上述開閉閥開始從打開狀態向關閉狀態轉變。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





