[發明專利]一種發光二極管外延片的制作方法及其發光二極管外延片有效
| 申請號： | 201810550079.3 | 申請日： | 2018-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN108598224B | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發明（設計）人： | 葛永暉;郭炳磊;呂蒙普;胡加輝;李鵬 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 外延 制作方法 及其 | ||
1.一種發光二極管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
采用化學氣相沉積技術在襯底上依次生長緩沖層、N型半導體層、有源層和P型半導體層；
對所述P型半導體層的表面進行離子輻照，降低所述P型半導體層的電阻率，所述離子輻照是利用離子將原子撞離正常位置，產生空位和離子間隙的晶體缺陷；
對所述P型半導體層進行退火處理；
在所述P型半導體層上生長P型接觸層，所述P型接觸層與芯片工藝中的電極或者透明導電薄膜之間形成歐姆接觸；
所述對所述P型半導體層的表面進行離子輻照，降低所述P型半導體層的電阻率，包括：
在真空環境中，將經過加速的氧離子和銀離子照射所述P型半導體層的表面。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，當所述離子包括氧離子時，氧離子的輻射劑量為1011ions/cm2～1012ions/cm2。
3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，當所述離子包括氧離子時，氧離子的輻射能量為50MeV～150MeV。
4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，當所述離子包括銀離子時，銀離子的輻射劑量為1010ions/cm2～1013ions/cm2。
5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，當所述離子包括銀離子時，銀離子的輻射能量為150MeV～250MeV。
6.根據權利要求1～5任一項所述的制作方法，其特征在于，所述真空環境的溫度為20℃～100℃。
7.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括襯底、緩沖層、N型半導體層、有源層和P型半導體層，所述緩沖層、所述N型半導體層、所述有源層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底上，其特征在于，所述P型半導體層的表面為離子輻照和退火處理后的表面，所述離子輻照是利用離子將原子撞離正常位置，產生空位和離子間隙的晶體缺陷；所述發光二極管外延片還包括層疊在所述P型半導體層上的P型接觸層，所述P型接觸層與芯片工藝中的電極或者透明導電薄膜之間形成歐姆接觸，所述離子包括氧離子和銀離子。
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