[發明專利]曝光光罩及其制作方法、光阻材料圖形化方法及蝕刻方法在審
| 申請號: | 201810549912.2 | 申請日: | 2018-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN108803232A | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發明(設計)人: | 趙敏敏 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/32 | 分類號: | G03F1/32;G03F7/00 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光阻材料 半透光層 光罩基板 曝光光 圖形層 蝕刻 邊緣位置 過渡結構 圖形化 去除 不透光層 光透過率 曝光過程 顯影過程 坡度角 透光層 減小 制作 光照 申請 | ||
1.一種曝光光罩,其特征在于,包括:
光罩基板;
設置于所述光罩基板上的圖形層,用于在曝光及顯影工藝中使得光阻材料層形成所述圖形層對應的圖形;以及,
設置于所述光罩基板上的半透光層,所述半透光層位于所述圖形層的邊緣,用于在所述曝光及顯影工藝中減小所述光阻材料層所形成圖形的坡度角。
2.根據權利要求1所述的曝光光罩,其特征在于,所述光罩基板的光透過率為100%,所述圖形層的光透過率為0%,所述半透光層的光透過率大于0%且小于100%。
3.根據權利要求1所述的曝光光罩,其特征在于,所述半透光層為金屬層。
4.根據權利要求1所述的曝光光罩,其特征在于,所述半透光層圍繞所述圖形層的整體邊緣設置。
5.根據權利要求1所述的曝光光罩,其特征在于,所述半透光層的數量為兩層或兩層以上,所述兩層或兩層以上的半透光層在同一層并列設置。
6.根據權利要求5所述的曝光光罩,其特征在于,當所述半透光層的數量為兩層或兩層以上時,相鄰兩層半透光層的光透過率不同。
7.一種曝光光罩制作方法,其特征在于,包括:
提供光罩基板;
制作設置于所述光罩基板的圖形層,所述圖形層用于在曝光及顯影工藝中使得光阻材料層形成對應的圖形;
制作設置于所述光罩基板的半透光層,所述半透光層位于所述圖形層的邊緣,用于在所述曝光及顯影工藝中減小所述光阻材料層所形成圖形的坡度角,所述光罩基板、圖形層及半透光層組成所述曝光光罩。
8.根據權利要求7所述的曝光光罩制作方法,其特征在于,使用光透過率為100%的材料制作所述光罩基板,使用光透過率為0%的材料制作所述圖形層,使用光透過率大于0%且小于100%的材料制作所述半透光層。
9.一種光阻材料圖形化方法,其特征在于,包括:
于襯底基板上進行光阻材料涂覆操作以形成光阻材料層;
使用如權利要求1至6任一項所述的曝光光罩或使用由權利要求7至8任一項所述的曝光光罩制作方法制造得到的曝光光罩對所述光阻材料層進行曝光及顯影操作以得到圖形化的光阻材料層,所述曝光光罩中的圖形層用于使得光阻材料層形成所述圖形層對應的圖形,所述曝光光罩中的半透光層用于減小所述光阻材料層所形成圖形的坡度角。
10.一種蝕刻方法,其特征在于,所述蝕刻方法包括如權利要求9所述的光阻材料圖形化方法。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于云谷(固安)科技有限公司,未經云谷(固安)科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810549912.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:光刻掩模
- 下一篇:一種掩模版的制備方法
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





